Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
Аналог | КТ845А | DT4305, STA9364, STS430,
STS431, SDT431, SDT430, РТС431, РТС430, DTS431, DTS430, 2N5241, STI431, STI430, FT431, FT430, 2SD1094
|
|||
Структура | — | n-p-n | |||
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | КТ845А | 50 °C | 40* | Вт |
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h21б, f**h21э, f***max | КТ845А | — | ≥4.5 | МГц |
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. | КТ845А | 0.01к | 400* | В |
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | КТ845А | — | 4 | В |
Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | КТ845А | — | 5(7.5*) | А |
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | КТ845А | 400 В | ≤3* | мА |
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | КТ845А | 5 В; 2 А | 15…100* | |
Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | КТ845А | 200 В | ≤45 | пФ |
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас, К**у.р. | КТ845А | — | ≤0.75 | Ом, дБ |
Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, P**вых | КТ845А | — | — | Дб, Ом, Вт |
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | КТ845А | — | ≤4000* | пс |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.
Сообщить об опечатке
Текст, который будет отправлен нашим редакторам: