Транзистор КТ848

Цоколевка транзисторов КТ845, КТ846, КТ847, КТ848

**Параметры транзистора КТ848**
Параметр	Обозначение	Маркировка	Условия	Значение	Ед. изм.
Аналог		КТ848А		*BU608, BUX37, IR5000 ^2, IR5061 ^2, IR5251 ^2, BUV37 ^1, SGS10004*
Структура			—	n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора	P_K max,P^_{K, τ max},P^*_{K, и max}	КТ848А	100 °C	35*	Вт
	P_K max,P^_{K, τ max},P^*_{K, и max}	КТ848Б	100 °C	35*	Вт
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером	f_гр,f^_h21б,f^_h21э, f^**_max	КТ848А	—	≥3	МГц
	f_гр,f^_h21б,f^_h21э, f^**_max	КТ848Б	—	≥3	МГц
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера	U_{КБО проб.,}U^_{КЭR проб.,}U^*_{КЭО проб.}	КТ848А	—	520	В
	U_{КБО проб.,}U^_{КЭR проб.,}U^*_{КЭО проб.}	КТ848Б	—	400	В
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора	U_{ЭБО проб.,}	КТ848А	—	15	В
	U_{ЭБО проб.,}	КТ848Б	—	15	В
Максимально допустимый постоянный ток коллектора	I_{K max,} I^*_{К , и max}	КТ848А	—	15	А
Максимально допустимый постоянный ток коллектора	I_{K max,} I^*_{К , и max}	КТ848Б	—	15	А
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера	I_КБО, I^_КЭR, I^*_КЭO	КТ848А	400 В	≤3*	мА
	I_КБО, I^_КЭR, I^*_КЭO	КТ848Б	400 В	≤3*	мА
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером	h_21э, h^*_21Э	КТ848А	5 В; 15 А	≥20*
	h_21э, h^*_21Э	КТ848Б	5 В; 15 А	≥20*
Емкость коллекторного перехода	c_к, с^*_12э	КТ848А	—	—	пФ
Емкость коллекторного перехода	c_к, с^*_12э	КТ848Б	—	—	пФ
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером	r_{КЭ нас}, r_{БЭ нас, К}^*_у.р.	КТ848А	—	≤0.2	Ом, дБ
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером	r_{КЭ нас}, r_{БЭ нас, К}^*_у.р.	КТ848Б	—	≤0.2	Ом, дБ
Коэффициент шума транзистора	К_ш, r^_b, P^*_вых	КТ848А	—	—	Дб, Ом, Вт
Коэффициент шума транзистора	К_ш, r^_b, P^*_вых	КТ848Б	—	—	Дб, Ом, Вт
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте	τ_к, t_рас, t^_выкл, t^**_пк(нс)	КТ848А	—	—	пс
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте	τ_к, t_рас, t^_выкл, t^**_пк(нс)	КТ848Б	—	—	пс

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

DataSheet

Техническая документация к электронным компонентам на русском языке.

Транзистор КТ848

Сообщить об опечатке

Текст, который будет отправлен нашим редакторам: