
| Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
| Аналог | КТ851А | 2SB546A, 2SB630, SK3930, 2SA958,
KSB546 *2, 2SB547A *2, 2SB546A *2, 2SB768 *2, 2SB1096 *2 |
|||
| КТ851Б | 2SA1009, BUX66A *3, 2N6211 *3, MJ3584 *3 | ||||
| КТ851В | 2SA740, 2SB546, TIP30E *2, АР1090 *3, 2SB547A *2, 2SB546A *2 | ||||
| Структура | — | p-n-p | |||
| Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | КТ851А | — | 25* | Вт |
| КТ851Б | — | 25* | |||
| КТ851В | — | 25* | |||
| Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h21б, f**h21э, f***max | КТ851А | — | ≥20 | МГц |
| КТ851Б | — | ≥20 | |||
| КТ851В | — | ≥20 | |||
| Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. | КТ851А | — | 250 | В |
| КТ851Б | — | 300 | |||
| КТ851В | — | 180 | |||
| Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | КТ851А | — | 5 | В |
| КТ851Б | — | 5 | |||
| КТ851В | — | 5 | |||
| Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | КТ851А | — | 2(3*) | А |
| КТ851Б | — | 2(3*) | |||
| КТ851В | — | 2(3*) | |||
| Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | КТ851А | 250 В | ≤100 | мкА |
| КТ851Б | 300 В | ≤500 | |||
| КТ851В | 180 В | ≤500 | |||
| Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | КТ851А | 10 В; 0.5 А | 40…200* | |
| КТ851Б | 10 В; 0.5 А | 20…200* | |||
| КТ851В | 10 В; 0.5 А | 20…200* | |||
| Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | КТ851А | 5 В | 40 | пФ |
| КТ851Б | 5 В | 40 | |||
| КТ851В | 5 В | 40 | |||
| Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас, К**у.р. | КТ851А | — | ≤2 | Ом, дБ |
| КТ851Б | — | ≤2 | |||
| КТ851В | — | ≤2 | |||
| Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, P**вых | КТ851А | — | — | Дб, Ом, Вт |
| КТ851Б | — | — | |||
| КТ851В | — | — | |||
| Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | КТ851А | — | 1400* | пс |
| КТ851Б | — | 1400* | |||
| КТ851В | — | 1400* |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.
*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.
*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.
*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.
Сообщить об опечатке
Текст, который будет отправлен нашим редакторам: