Транзистор КТ852

Цоколевка транзисторов КТ850, КТ851, КТ852
Цоколевка транзисторов КТ850, КТ851, КТ852

 

Параметры транзистора КТ852
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ852А TIP117, 2SB1286, MJD117 *1, MJD117-1 *1, 2SD1567
КТ852Б TIP116, 2SB750A, SGS116 *1
КТ852В TIP115, 2SB973A, 2SB750, 2SB675
КТ852Г TIP115, D41K3
Структура  — p-n-p
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ852А — 50* Вт
КТ852Б — 50*
КТ852В — 50*
КТ852Г — 50*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ852А — ≥7 МГц
КТ852Б — ≥7
КТ852В — ≥7
КТ852Г — ≥7
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ852А — 100 В
КТ852Б — 80
КТ852В — 60
КТ852Г — 45
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ852А — 5 В
КТ852Б — 5
КТ852В — 5
КТ852Г — 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ852А — 2.5(4*) А
КТ852Б — 2.5(4*)
КТ852В — 2.5(4*)
КТ852Г — 2.5(4*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ852А 100 В ≤1 мА
КТ852Б 80 В ≤1
КТ852В 60 В ≤1
КТ852Г 45 В ≤1
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ852А 4 В; 2 А ≥500*
КТ852Б 4 В; 2 А ≥500*
КТ852В 4 В; 1 А ≥1000*
КТ852Г 4 В; 1 А ≥1000*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ852А 5 В ≤28 пФ
КТ852Б 5 В ≤28
КТ852В 5 В ≤28
КТ852Г 5 В ≤28
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ852А — ≤1.25 Ом, дБ
КТ852Б — ≤1.25
КТ852В — ≤1.25
КТ852Г — ≤1.25
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ852А — — Дб, Ом, Вт
КТ852Б — —
КТ852В — —
КТ852Г — —
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ852А — 2000* пс
КТ852Б — 2000*
КТ852В — 2000*
КТ852Г — 2000*

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.