Транзистор КТ853

Цоколевка транзисторов КТ853, КТ854, КТ855
Цоколевка транзисторов КТ853, КТ854, КТ855

 

Параметры транзистора КТ853
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ853А TIP127, BDX54C, BD902, BD702 *1, BDX54C *2, PMD13K100 *3, BD650 *2, BD336 *3, BDW24C *2, BDT60B *2, BDW74C, BDW64C *2
КТ853Б TIP126, BDX54B, BD900, BD266A,

BDX54B *2, BD900A *2, 2N6299 *3, MJ901 *3, BD334 *3, BDW24B *2, BDW74B
КТ853В TIP125, BDX34, BD898,

BD266, BDX54A *2, BD698 *1, BD898A *2, 2N6298 *3, BD332 *3, KD366 *1, BDW74A
КТ853Г BDX54A, BD896, BDX54 *2, BD696 *1, BDW24 *2, BD676A *3, BDW74, BDW64 *2
Структура  — p-n-p
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ853А — 60* Вт
КТ853Б — 60*
КТ853В — 60*
КТ853Г — 60*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ853А — ≥7 МГц
КТ853Б — ≥7
КТ853В — ≥7
КТ853Г — ≥7
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ853А — 100 В
КТ853Б — 80
КТ853В — 60
КТ853Г — 45
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ853А — 5 В
КТ853Б — 5
КТ853В — 5
КТ853Г — 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ853А — 8(12*) А
КТ853Б — 8(12*)
КТ853В — 8(12*)
КТ853Г — 8(12*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ853А 100 В ≤0.2 мА
КТ853Б 80 В ≤0.2
КТ853В 60 В ≤0.2
КТ853Г 45 В ≤0.2
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ853А 3 В; 3 А ≥750*
КТ853Б 3 В; 3 А ≥750*
КТ853В 3 В; 3 А ≥750*
КТ853Г 3 В; 3 А ≥750*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ853А 5 В ≤120 пФ
КТ853Б 5 В ≤120
КТ853В 5 В ≤120
КТ853Г 5 В ≤120
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ853А — ≤0.66 Ом, дБ
КТ853Б — ≤0.66
КТ853В — ≤0.66
КТ853Г — ≤0.66
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ853А — — Дб, Ом, Вт
КТ853Б — —
КТ853В — —
КТ853Г — —
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ853А — 3300* пс
КТ853Б — 3300*
КТ853В — 3300*
КТ853Г — 3300*

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.