Транзистор КТ855

Цоколевка транзисторов КТ853, КТ854, КТ855
Цоколевка транзисторов КТ853, КТ854, КТ855

 

Параметры транзистора КТ855
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ855А BD566, MJ15019 *3, TIP42F, TIP42D *2, TIP32F *2, MJE5172 *2, TIP523 *3
КТ855Б BDT42C, 2SB506A *1, MJE5171 *2, TIP546 *3, ECG381 *2, SK3441 *2, 2N6476 *2, BD956 *2, BD540D *2
КТ855В BDT45C, MJE5171, TIP546 *1, BDT32C *2, TIP32C *2
Структура  — p-n-p
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ855А — 40* Вт
КТ855Б — 40*
КТ855В — 40*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ855А — ≥5 МГц
КТ855Б — ≥5
КТ855В — ≥5
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ855А — 250 В
КТ855Б — 150
КТ855В — 150
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ855А — 5 В
КТ855Б — 5
КТ855В — 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ855А — 5(8*) А
КТ855Б — 5(8*)
КТ855В — 5(8*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ855А 250 В ≤1 мА
КТ855Б 150 В ≤1
КТ855В 150 В ≤1
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ855А 4 В; 2 А ≥20*
КТ855Б 4 В; 2 А ≥20*
КТ855В 4 В; 2 А ≥15*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ855А 10 В 200 пФ
КТ855Б 10 В 200
КТ855В 10 В 200
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ855А — ≤0.5 Ом, дБ
КТ855Б — ≤0.5
КТ855В — ≤0.5
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ855А — — Дб, Ом, Вт
КТ855Б — —
КТ855В — —
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ855А — — пс
КТ855Б — —
КТ855В — —

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.