Транзистор КТ858

Цоколевка транзисторов КТ857, КТ858, КТ859
Цоколевка транзисторов КТ857, КТ858, КТ859

 

Параметры транзистора КТ858
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ858А BU408, BU406, IR430 *1, IR431 *1, 2N2580 *3, BU104 *1, BU104P, BU109P *2
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ858А — 60* Вт
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ858А — ≥10 МГц
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ858А — 400 В
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ858А — 6 В
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ858А — 7(10*) А
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ858А 400 В ≤1 мА
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ858А 5 В; 5 А ≥10*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ858А — — пФ
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ858А — ≤0.2 Ом, дБ
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ858А — — Дб, Ом, Вт
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ858А — ≤2500* пс

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.