Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
Аналог | КТ863А | BDY92, 2N6669, 2SC4675 *1, BEL149 *2 | |||
КТ863Б | BD245, BD945, 2SC4675 *1, BEL149 *2 | ||||
КТ863В | 2SC2516, 2SC3568M, BD943 *2, BD743 *2, SK9616 *3, SK96649 *3 | ||||
Структура | — | n-p-n | |||
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | КТ863А | — | 50* | Вт |
КТ863Б | — | 50* | |||
КТ863В | — | 50* | |||
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h21б, f**h21э, f***max | КТ863А | — | ≥4 | МГц |
КТ863Б | — | ≥4 | |||
КТ863В | — | ≥4 | |||
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. | КТ863А | — | 30 | В |
КТ863Б | — | 30 | |||
КТ863В | — | 160 | |||
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | КТ863А | — | 5 | В |
КТ863Б | — | 5 | |||
КТ863В | — | 5 | |||
Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | КТ863А | — | 10 | А |
КТ863Б | — | 10 | |||
КТ863В | — | 10 | |||
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | КТ863А | 30 В | ≤1 | мА |
КТ863Б | 30 В | ≤1 | |||
КТ863В | 30 В | ≤1 | |||
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | КТ863А | 2 В; 5 А | ≥100* | |
КТ863Б | 2 В; 5 А | ≥70* | |||
КТ863В | 2 В; 5 А | ≥70* | |||
Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | КТ863А | — | — | пФ |
КТ863Б | — | — | |||
КТ863В | — | — | |||
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас, К**у.р. | КТ863А | — | ≤0.06 | Ом, дБ |
КТ863Б | — | ≤0.1 | |||
КТ863В | — | ≤0.1 | |||
Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, P**вых | КТ863А | — | — | Дб, Ом, Вт |
КТ863Б | — | — | |||
КТ863В | — | — | |||
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | КТ863А | — | — | пс |
КТ863Б | — | — | |||
КТ863В | — | — |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.
*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.
*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.
*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.
Сообщить об опечатке
Текст, который будет отправлен нашим редакторам: