| Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
| Аналог | КТ872А | BU508, MJE 13005, BU508A, BU508D,
BU2508A, BU706 *2, BU706D *2, NTE2300 *3, NTE2318 *3 |
|||
| КТ872Б | BU508A, BU508A, BU508D,
BU2508A, BU706 *2, BU706D *2, NTE2300 *3, NTE2318 *3 |
||||
| КТ872В | BU508D | ||||
| Структура | — | n-p-n | |||
| Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | КТ872А | — | 100* | Вт |
| КТ872Б | — | 100* | |||
| КТ872В | — | 100* | |||
| Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h21б, f**h21э, f***max | КТ872А | — | ≥7 | МГц |
| КТ872Б | — | ≥7 | |||
| КТ872В | — | ≥7 | |||
| Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. | КТ872А | — | 1500; 700* | В |
| КТ872Б | — | 1500; 700* | |||
| КТ872В | — | 1200; 600* | |||
| Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | КТ872А | — | 6 | В |
| КТ872Б | — | 6 | |||
| КТ872В | — | 6 | |||
| Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | КТ872А | — | 8(15*) | А |
| КТ872Б | — | 8(15*) | |||
| КТ872В | — | 8(15*) | |||
| Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | КТ872А | 1500 В | ≤1 | мА |
| КТ872Б | 1500 В | ≤1 | |||
| КТ872В | 1200 В | ≤1 | |||
| Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | КТ872А | 5 В; 30 А | ≥6 | |
| КТ872Б | 5 В; 30 А | ≥6 | |||
| КТ872В | 5 В; 30 А | ≥6 | |||
| Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | КТ872А | 15 В | ≤125 | пФ |
| КТ872Б | 15 В | ≤125 | |||
| КТ872В | 15 В | ≤125 | |||
| Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас, К**у.р. | КТ872А | — | ≤0.22 | Ом, дБ |
| КТ872Б | — | ≤1.1 | |||
| КТ872В | — | ≤1.1 | |||
| Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, P**вых | КТ872А | — | — | Дб, Ом, Вт |
| КТ872Б | — | — | |||
| КТ872В | — | — | |||
| Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | КТ872А | — | ≤7500* | пс |
| КТ872Б | — | ≤7500* | |||
| КТ872В | — | ≤7500* |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.
*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.
*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.
*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.
Сообщить об опечатке
Текст, который будет отправлен нашим редакторам: