Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
Аналог | КТ892А | TIP661, BU941Z, BU941ZP *1, BU941ZT *1, BU941ZPFI *3, BU941ZTFI *3, BU930 *2, TIP661 *2, BU931Z *2 | |||
КТ892Б | BU932Z, ST6000, IR6000,
IR4045 *2, IR4040 *2, SDM6000 *2, BU941, BU941P *1, TIP662 *2, BU941T *1, BU941SM *1, STI4041 *2, DTS4045 *1, BU941PFI *1, BU941TFI *1 |
||||
КТ892В | TIP662, DT5335 *2, IDI8002 *2, GT8002 *2, IDI8005 *2 | ||||
Структура | — | n-p-n | |||
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | КТ892А | — | 100* | Вт |
КТ892Б | — | 100* | |||
КТ892В | — | 100* | |||
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h21б, f**h21э, f***max | КТ892А | — | 8 | МГц |
КТ892Б | — | 8 | |||
КТ892В | — | 8 | |||
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. | КТ892А | 0.01к | 350* | В |
КТ892Б | 0.01к | 400* | |||
КТ892В | 0.01к | 300* | |||
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | КТ892А | — | 5 | В |
КТ892Б | — | 5 | |||
КТ892В | — | 5 | |||
Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | КТ892А | — | 15(30*) | А |
КТ892Б | — | 15(30*) | |||
КТ892В | — | 15(30*) | |||
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | КТ892А | 350 В | ≤3 | мА |
КТ892Б | 400 В | ≤3 | |||
КТ892В | 300 В | ≤3 | |||
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | КТ892А | 10 В; 5 А | ≥300* | |
КТ892Б | 10 В; 5 А | ≥300* | |||
КТ892В | 10 В; 5 А | ≥300* | |||
Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | КТ892А | — | — | пФ |
КТ892Б | — | — | |||
КТ892В | — | — | |||
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас, К**у.р. | КТ892А | — | ≤0.225 | Ом, дБ |
КТ892Б | — | ≤0.225 | |||
КТ892В | — | ≤0.25 | |||
Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, P**вых | КТ892А | — | — | Дб, Ом, Вт |
КТ892Б | — | — | |||
КТ892В | — | — | |||
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | КТ892А | — | tсп≤4 мкс | пс |
КТ892Б | — | tсп≤4 мкс | |||
КТ892В | — | tсп≤4 мкс |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.
*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.
*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.
*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.
Сообщить об опечатке
Текст, который будет отправлен нашим редакторам: