Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n генераторные сверхвысокочастотные. Предназначены для работы в схемах усиления мощности, генерирования, умножения частоты в диапазоне 100 — 400 МГц в режимах с отсечкой коллекторного тока в импульсных схемах при напряжении питания 28 В. Вывод эмиттера электрически соединен с корпусом. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Обозначение типа указывается на боковой поверхности корпуса. Масса транзистора не более 6 г.
Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
Аналог | КТ907А | 2N3733, 2N5636 *3, 2SC1040 *3 | |||
КТ907Б | 2N4440, 2SC2379 *3, 2SC2105 *3 | ||||
Структура | — | n-p-n | |||
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | КТ907А | — | 13.5* | Вт |
КТ907Б | — | 13.5* | |||
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h21б, f**h21э, f***max | КТ907А | — | ≥350 | МГц |
КТ907Б | — | ≥300 | |||
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. | КТ907А | 0.1к | 60* | В |
КТ907Б | 0.1к | 60* | |||
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | КТ907А | — | 4 | В |
КТ907Б | — | 4 | |||
Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | КТ907А | — | 1(3*) | А |
КТ907Б | — | 1(3*) | |||
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | КТ907А | 60 В | ≤3* | мА |
КТ907Б | 60 В | ≤3* | |||
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | КТ907А | 5 В; 0.4 А | ≥10* | |
КТ907Б | 5 В; 0.4 А | ≥10* | |||
Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | КТ907А | 30 В | ≤20 | пФ |
КТ907Б | 30 В | ≤20 | |||
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас, К**у.р. | КТ907А | — | ≤4; ≥2** | Ом, дБ |
КТ907Б | — | ≤4; ≥1.5** | |||
Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, P**вых | КТ907А | 400 МГц | ≥8** | Дб, Ом, Вт |
КТ907Б | 400 МГц | ≥6** | |||
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | КТ907А | — | ≤15 | пс |
КТ907Б | — | ≤20 |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.
*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.
Сообщить об опечатке
Текст, который будет отправлен нашим редакторам: