
Описание
Транзисторы кремниевые меза-планарные n-p-n переключательные высокочастотные мощные. Предназначены для работы в ключевых стабилизаторах и преобразователях напряжения, импульсных модуляторах. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора без накидного фланца не более 22 г, накидного фланца не более 12 г.
Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
Аналог | КТ908А | BDY92, 2N1900 *2, PG1389 *1, PG1384 *1, SDT7B07 *1, PG1369 *1, PG1340 *1, PG1335 *1, SDT3228 *1, 1718-1005 *1, SDT85608 *1, SDT7A09 *1, SDT7B06 *1, SDT3227 *1, PG1382 *1, PG1362 *1 | |||
КТ908Б | BDY92, SDT7A08 *1, SDT85607 *1, SDT85307 *1, SDT7608 *1, SDT7B05 *1, SDT3226 *1, PG1380 *1, PG1360 *1, PG1387 *1, PG1367 *1 | ||||
Структура | — | n-p-n | |||
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | КТ908А | 50 °C | 50* | Вт |
КТ908Б | 50 °C | 50* | |||
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h21б, f**h21э, f***max | КТ908А | — | ≥30 | МГц |
КТ908Б | — | ≥30 | |||
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. | КТ908А | 0.01к | 100* | В |
КТ908Б | 0.25к | 60* | |||
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | КТ908А | — | 5 | В |
КТ908Б | — | 5 | |||
Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | КТ908А | — | 10 | А |
КТ908Б | — | 10 | |||
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | КТ908А | 100 В | ≤25* | мА |
КТ908Б | 60 В | ≤50* | |||
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | КТ908А | 2 В; 10 А | 8…60* | |
КТ908Б | 4 В; 0.4 А | ≥20* | |||
Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | КТ908А | 10 В | ≤700 | пФ |
КТ908Б | 10 В | ≤700 | |||
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас, К**у.р. | КТ908А | — | ≤0.15 | Ом, дБ |
КТ908Б | — | ≤0.25 | |||
Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, P**вых | КТ908А | — | — | Дб, Ом, Вт |
КТ908Б | — | — | |||
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | КТ908А | — | ≤2600* | пс |
КТ908Б | — | ≤2600* |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.
*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.
*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.
Сообщить об опечатке
Текст, который будет отправлен нашим редакторам: