Транзистор КТ908

Цоколевка транзистора КТ908
Цоколевка транзистора КТ908

 

Описание

Транзисторы кремниевые меза-планарные n-p-n переключательные высокочастотные мощные. Предназначены для работы в ключевых стабилизаторах и преобразователях напряжения, импульсных модуляторах. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора без накидного фланца не более 22 г, накидного фланца не более 12 г.

 

Параметры транзистора КТ908
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ908А BDY92, 2N1900 *2, PG1389 *1, PG1384 *1, SDT7B07 *1, PG1369 *1, PG1340 *1, PG1335 *1, SDT3228 *1, 1718-1005 *1, SDT85608 *1, SDT7A09 *1, SDT7B06 *1, SDT3227 *1, PG1382 *1, PG1362 *1
КТ908Б BDY92, SDT7A08 *1, SDT85607 *1, SDT85307 *1, SDT7608 *1, SDT7B05 *1, SDT3226 *1, PG1380 *1, PG1360 *1, PG1387 *1, PG1367 *1
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ908А 50 °C 50* Вт
КТ908Б 50 °C 50*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ908А ≥30 МГц
КТ908Б ≥30
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ908А 0.01к 100* В
КТ908Б 0.25к 60*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ908А 5 В
КТ908Б 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ908А 10 А
КТ908Б 10
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ908А 100 В ≤25* мА
КТ908Б 60 В ≤50*
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ908А 2 В; 10 А 8…60*
КТ908Б 4 В; 0.4 А ≥20*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ908А 10 В ≤700 пФ
КТ908Б 10 В ≤700
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ908А ≤0.15 Ом, дБ
КТ908Б ≤0.25
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ908А Дб, Ом, Вт
КТ908Б
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ908А ≤2600* пс
КТ908Б ≤2600*

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.