Транзистор КТ909

Цоколевка транзистора КТ909
Цоколевка транзистора КТ909

 

Описание

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n генераторные сверхвысокочастотные. Предназначены для работы в схемах усиления мощности, генерирования умножения частоты в диапазоне 100 — 500 МГц в режимах с отсечкой коллекторного тока при напряжении питания 28 В. Выпускаются в герметичном металлокерамическом корпусе, герметизированном пластмассой. Выводы полосковые, вывод эмиттера электрически соединен с фланцем корпуса. Условное обозначение типа указывается на корпусе. Масса транзистора не более 4 г.

 

Параметры транзистора КТ909
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ909А 2N5177, 2SC2033 *3
КТ909Б 2N5178, 2SC2173 *3, 2SC2381 *3, 2SC2643 *3, MRF641 *3
КТ909В 2SC2042, 0105-12 *3, 2SC2106 *3, 2SC2642 *3, 2SC2380 *3
КТ909Г 2SC2173,  2SC2173 *3, 2SC2381 *3, 2SC2643 *3, MRF641 *3
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ909А — 27* Вт
КТ909Б — 54*
КТ909В — 27*
КТ909Г — 54*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ909А — ≥350 МГц
КТ909Б — ≥500
КТ909В — ≥300
КТ909Г — ≥450
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ909А 0.01к 60* В
КТ909Б 0.01к 60*
КТ909В 0.01к 60*
КТ909Г 0.01к 60*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ909А — 3.5 В
КТ909Б — 3.5
КТ909В — 3.5
КТ909Г — 3.5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ909А — 2(4*) А
КТ909Б — 4(8*)
КТ909В — 2(4*)
КТ909Г — 4(8*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ909А 60 В 30* мА
КТ909Б 60 В 60*
КТ909В 60 В 30*
КТ909Г 60 В 60*
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ909А — —
КТ909Б — —
КТ909В — —
КТ909Г — —
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ909А 28 В ≤30 пФ
КТ909Б 28 В ≤60
КТ909В 28 В ≤35
КТ909Г 28 В ≤60
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ909А — ≤0.3; ≥1.7** Ом, дБ
КТ909Б — ≤0.18; ≥1.75**
КТ909В — ≤0.3; ≥1.2**
КТ909Г — ≤0.18; ≥1.5**
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ909А 500 МГц 20** Дб, Ом, Вт
КТ909Б 500 МГц 40**
КТ909В 500 МГц 15**
КТ909Г 500 МГц ≥30**
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ909А — ≤20 пс
КТ909Б — ≤20
КТ909В — ≤30
КТ909Г — ≤30

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.