Описание
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n генераторные сверхвысокочастотные. Предназначены для работы в схемах усиления мощности, генерирования умножения частоты в диапазоне 100 — 500 МГц в режимах с отсечкой коллекторного тока при напряжении питания 28 В. Выпускаются в герметичном металлокерамическом корпусе, герметизированном пластмассой. Выводы полосковые, вывод эмиттера электрически соединен с фланцем корпуса. Условное обозначение типа указывается на корпусе. Масса транзистора не более 4 г.
Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
Аналог | КТ909А | 2N5177, 2SC2033 *3 | |||
КТ909Б | 2N5178, 2SC2173 *3, 2SC2381 *3, 2SC2643 *3, MRF641 *3 | ||||
КТ909В | 2SC2042, 0105-12 *3, 2SC2106 *3, 2SC2642 *3, 2SC2380 *3 | ||||
КТ909Г | 2SC2173, 2SC2173 *3, 2SC2381 *3, 2SC2643 *3, MRF641 *3 | ||||
Структура | — | n-p-n | |||
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | КТ909А | — | 27* | Вт |
КТ909Б | — | 54* | |||
КТ909В | — | 27* | |||
КТ909Г | — | 54* | |||
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h21б, f**h21э, f***max | КТ909А | — | ≥350 | МГц |
КТ909Б | — | ≥500 | |||
КТ909В | — | ≥300 | |||
КТ909Г | — | ≥450 | |||
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. | КТ909А | 0.01к | 60* | В |
КТ909Б | 0.01к | 60* | |||
КТ909В | 0.01к | 60* | |||
КТ909Г | 0.01к | 60* | |||
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | КТ909А | — | 3.5 | В |
КТ909Б | — | 3.5 | |||
КТ909В | — | 3.5 | |||
КТ909Г | — | 3.5 | |||
Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | КТ909А | — | 2(4*) | А |
КТ909Б | — | 4(8*) | |||
КТ909В | — | 2(4*) | |||
КТ909Г | — | 4(8*) | |||
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | КТ909А | 60 В | 30* | мА |
КТ909Б | 60 В | 60* | |||
КТ909В | 60 В | 30* | |||
КТ909Г | 60 В | 60* | |||
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | КТ909А | — | — | |
КТ909Б | — | — | |||
КТ909В | — | — | |||
КТ909Г | — | — | |||
Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | КТ909А | 28 В | ≤30 | пФ |
КТ909Б | 28 В | ≤60 | |||
КТ909В | 28 В | ≤35 | |||
КТ909Г | 28 В | ≤60 | |||
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас, К**у.р. | КТ909А | — | ≤0.3; ≥1.7** | Ом, дБ |
КТ909Б | — | ≤0.18; ≥1.75** | |||
КТ909В | — | ≤0.3; ≥1.2** | |||
КТ909Г | — | ≤0.18; ≥1.5** | |||
Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, P**вых | КТ909А | 500 МГц | 20** | Дб, Ом, Вт |
КТ909Б | 500 МГц | 40** | |||
КТ909В | 500 МГц | 15** | |||
КТ909Г | 500 МГц | ≥30** | |||
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | КТ909А | — | ≤20 | пс |
КТ909Б | — | ≤20 | |||
КТ909В | — | ≤30 | |||
КТ909Г | — | ≤30 |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.
*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.
Сообщить об опечатке
Текст, который будет отправлен нашим редакторам: