Транзистор КТ911

Цоколевка транзистора КТ911
Цоколевка транзистора КТ911

 

Описание

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n генераторные сверхвысокочастотные. Предназначены для применения в схемах усилителей мощности в том числе при амплитудной модуляции в умножителях частоты и автогенераторах на частотах более 400 МГц при напряжении питания 28 В. Выпускаются в металлопластмассовом корпусе с гибкими ленточными выводами и монтажным винтом. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора не более 6 г.

 

Параметры транзистора КТ911
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ911А 2N4976, 2SC1038 *3
КТ911Б 2N4429, PDE1001T *3, PEE1001T *3, 2SC3607 *3
КТ911В 2N5481, HXTR4103 *3, MSC85470 *3, MSC85920 *3
КТ911Г 2SC3607, PDE1001T *3, PEE1001T *3, 2SC3607 *3
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ911А — 3* Вт
КТ911Б — 3*
КТ911В — 3*
КТ911Г — 3*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ911А — ≥750 МГц
КТ911Б — ≥600
КТ911В — ≥750
КТ911Г — ≥600
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ911А — 55 В
КТ911Б — 55
КТ911В — 40
КТ911Г — 40
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ911А — 3 В
КТ911Б — 3
КТ911В — 3
КТ911Г — 3
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ911А — 0.4 А
КТ911Б — 0.4
КТ911В — 0.4
КТ911Г — 0.4
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ911А 55 В ≤5 мА
КТ911Б 55 В ≤5
КТ911В 40 В ≤5
КТ911Г 40 В ≤5
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ911А — —
КТ911Б — —
КТ911В — —
КТ911Г — —
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ911А 28 В ≤10 пФ
КТ911Б 28 В ≤10
КТ911В 28 В ≤10
КТ911Г 28 В ≤10
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ911А — ≤5; ≥2.5** Ом, дБ
КТ911Б — ≤5; ≥2.6**
КТ911В — ≤5; ≥2.2**
КТ911Г — ≤5; ≥2.2**
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ911А 1.8 ГГц ≥1** Дб, Ом, Вт
КТ911Б 1 ГГц ≥1**
КТ911В 1.8 ГГц ≥0.8**
КТ911Г 1 ГГц ≥0.8**
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ911А — ≤25 пс
КТ911Б — ≤25
КТ911В — ≤50
КТ911Г — ≤100

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.