Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
Аналог | КТ9115А | BF472, BF849, BD459, 2SA1352,
2SA1479С *2, 2SA1479 *2, 2SA1353С *2, 2SA1353 *2, STZTA92 *3, BF872 *3, BD458 *2 |
|||
КТ9115Б | 2SA794, 2SA1173 *3, 2SA795 *2 | ||||
Структура | — | p-n-p | |||
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | КТ9115А | — | 10* | Вт |
КТ9115Б | — | 10* | |||
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h21б, f**h21э, f***max | КТ9115А | — | ≥90 | МГц |
КТ9115Б | — | ≥90 | |||
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. | КТ9115А | 10к | 300* | В |
КТ9115Б | 10к | 150* | |||
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | КТ9115А | — | 5 | В |
КТ9115Б | — | 5 | |||
Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | КТ9115А | — | 0.1; 0.3* | А |
КТ9115Б | — | 0.1; 0.3* | |||
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | КТ9115А | 250 В | ≤0.05* | мкА |
КТ9115Б | 150 В | ≤0.05* | |||
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | КТ9115А | 10 В; 30 мА | ≥25 | |
КТ9115Б | 10 В; 30 мА | ≥25 | |||
Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | КТ9115А | 30 В | ≤5.5 | пФ |
КТ9115Б | 30 В | ≤5.5 | |||
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас, К**у.р. | КТ9115А | — | ≤33 | Ом, дБ |
КТ9115Б | — | ≤33 | |||
Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, P**вых | КТ9115А | — | — | Дб, Ом, Вт |
КТ9115Б | — | — | |||
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | КТ9115А | — | — | пс |
КТ9115Б | — | — |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.
*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.
*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.
*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.
Сообщить об опечатке
Текст, который будет отправлен нашим редакторам: