Транзистор КТ912

Цоколевка транзистора КТ912
Цоколевка транзистора КТ912

 

Описание

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n высокочастотные генераторные. Предназначены для работы в линейных усилителях мощности на частотах 1,5 — 30 МГц при напряжении питания 27 В. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Транзисторы поставляются с диодом, смонтированным внутри корпуса и предназначенным для контроля температуры корпуса.
Разрешается поставлять транзисторы без диода. Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса. Транзистор без диода
маркируется синей точкой около диодного вывода. Масса транзистора не более 45 г.

 

Параметры транзистора КТ912
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ912А 2N5070, 2N6093, SPC163-04 *2
КТ912Б 2N6093
2Т912Б 2N5535 *3, 2N5536 *3, D44VH4 *3
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ912А 85 °C 30* Вт
КТ912Б 85 °C 30*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ912А — ≥90 МГц
КТ912Б — ≥90
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ912А 0.01к 70* В
КТ912Б 0.25к 70*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ912А — 5 В
КТ912Б — 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ912А — 20 А
КТ912Б — 20
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ912А 70 В ≤50* мА
КТ912Б 70 В ≤50*
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ912А 10 В; 5 А 10…50*
КТ912Б 10 В; 5 А 20…100*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ912А 27 В ≤200 пФ
КТ912Б 27 В ≤200
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ912А — ≤0.12; ≥10** Ом, дБ
КТ912Б — ≤0.12
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ912А 30 МГц ≥70** Дб, Ом, Вт
КТ912Б 30 МГц ≥70**
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ912А — — пс
КТ912Б — —

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 —  функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.