Транзистор КТ913

Цоколевка транзистора КТ913
Цоколевка транзистора КТ913

 

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n генераторные сверх высокочастотные. Предназначены для работы в схемах усиления мощности, генерирования, умножения частоты в диапазоне 200—1000 МГц в режимах с отсечкой коллекторного тока при напряжении питания 28 В. Выпускаются в герметичном металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами. Обозначение типа указывается на корпусе. Масса транзистора не более 1,6 г.

 

Параметры транзистора КТ913
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ913А MSC2003, BLX92,
2N4430, 2SC1425 *2, MRF1002MA *2, MRF1002MB *3
КТ913Б BLX93, 2N4431, NE1005E *2, 2SC1334 *2, MRF1004MA *2, MRF1004MC *3, MRF1004MB *3
КТ913В NE10101E-28, D10P *3, MRF1008MC *3, MRF1008MA *2, MRF1008MB *3
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ913А 55 °C 4.7* Вт
КТ913Б 55 °C 8*
КТ913В — 12*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ913А — ≥900 МГц
КТ913Б — ≥900
КТ913В — ≥900
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ913А — 55 В
КТ913Б — 55
КТ913В — 55
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ913А — 3.5 В
КТ913Б — 3.5
КТ913В — 3.5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ913А — 0.5(1*) А
КТ913Б — 1(2*)
КТ913В — 1(2*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ913А 55 В ≤25* мА
КТ913Б 55 В ≤50*
КТ913В 55 В ≤50*
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ913А 10 В; 0.5 А ≥10*
КТ913Б 10 В; 0.5 А ≥10*
КТ913В 10 В; 0.5 А ≥10*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ913А 28 В ≤6 пФ
КТ913Б 28 В ≤12
КТ913В 28 В ≤14
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ913А — ≤1.1; ≥2** Ом, дБ
КТ913Б — ≤1.1; ≥2**
КТ913В — ≤1.1; ≥2**
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ913А 1 ГГц ≥3** Дб, Ом, Вт
КТ913Б 1 ГГц ≥5**
КТ913В 1 ГГц ≥10**
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ913А — ≤18 пс
КТ913Б — ≤15
КТ913В — ≤15

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 —  функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.