
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n генераторные сверх высокочастотные. Предназначены для работы в схемах усиления мощности, генерирования, умножения частоты в диапазоне 200—1000 МГц в режимах с отсечкой коллекторного тока при напряжении питания 28 В. Выпускаются в герметичном металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами. Обозначение типа указывается на корпусе. Масса транзистора не более 1,6 г.
Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
Аналог | КТ913А | MSC2003, BLX92, 2N4430, 2SC1425 *2, MRF1002MA *2, MRF1002MB *3 |
|||
КТ913Б | BLX93, 2N4431, NE1005E *2, 2SC1334 *2, MRF1004MA *2, MRF1004MC *3, MRF1004MB *3 | ||||
КТ913В | NE10101E-28, D10P *3, MRF1008MC *3, MRF1008MA *2, MRF1008MB *3 | ||||
Структура | — | n-p-n | |||
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | КТ913А | 55 °C | 4.7* | Вт |
КТ913Б | 55 °C | 8* | |||
КТ913В | — | 12* | |||
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h21б, f**h21э, f***max | КТ913А | — | ≥900 | МГц |
КТ913Б | — | ≥900 | |||
КТ913В | — | ≥900 | |||
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. | КТ913А | — | 55 | В |
КТ913Б | — | 55 | |||
КТ913В | — | 55 | |||
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | КТ913А | — | 3.5 | В |
КТ913Б | — | 3.5 | |||
КТ913В | — | 3.5 | |||
Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | КТ913А | — | 0.5(1*) | А |
КТ913Б | — | 1(2*) | |||
КТ913В | — | 1(2*) | |||
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | КТ913А | 55 В | ≤25* | мА |
КТ913Б | 55 В | ≤50* | |||
КТ913В | 55 В | ≤50* | |||
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | КТ913А | 10 В; 0.5 А | ≥10* | |
КТ913Б | 10 В; 0.5 А | ≥10* | |||
КТ913В | 10 В; 0.5 А | ≥10* | |||
Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | КТ913А | 28 В | ≤6 | пФ |
КТ913Б | 28 В | ≤12 | |||
КТ913В | 28 В | ≤14 | |||
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас, К**у.р. | КТ913А | — | ≤1.1; ≥2** | Ом, дБ |
КТ913Б | — | ≤1.1; ≥2** | |||
КТ913В | — | ≤1.1; ≥2** | |||
Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, P**вых | КТ913А | 1 ГГц | ≥3** | Дб, Ом, Вт |
КТ913Б | 1 ГГц | ≥5** | |||
КТ913В | 1 ГГц | ≥10** | |||
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | КТ913А | — | ≤18 | пс |
КТ913Б | — | ≤15 | |||
КТ913В | — | ≤15 |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.
*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.
*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.
Сообщить об опечатке
Текст, который будет отправлен нашим редакторам: