Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
Аналог | КТ914А | 2N5161, BDW58 *3 | |||
Структура | — | p-n-p | |||
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | КТ914А | — | 7* | Вт |
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h21б, f**h21э, f***max | КТ914А | — | ≥300 | МГц |
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. | КТ914А | — | 65* | В |
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | КТ914А | — | 4 | В |
Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | КТ914А | — | 0.8(1.5*) | А |
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | КТ914А | 65 В | 2* | мА |
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | КТ914А | (5 В; 0.25 А) | 10…60* | |
Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | КТ914А | 28 В | ≤12 | пФ |
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас, К**у.р. | КТ914А | — | ≤12 | Ом, дБ |
Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, P**вых | КТ914А | 400 МГц | ≥2.5** | Дб, Ом, Вт |
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | КТ914А | — | ≤20 | пс |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.
*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.
Сообщить об опечатке
Текст, который будет отправлен нашим редакторам: