Транзистор КТ9181

Цоколевка транзисторов КТ9180, КТ9181
Цоколевка транзисторов КТ9180, КТ9181

 

Параметры транзистора КТ9181
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ9181А BD326, D42CC2N, KSD882, 2SD882R,

2SD882, KSD1173 *1, 2SC1173О *1, KSC1173 *1, KTN6210 *1, КТС1173 *1, KSC3073 *1, 2SC3230 *1

КТ9181Б 2SD1348, MJE180, BSX62-6 *3, 2N3506 *3, MJE180 *2, BDY34, KSE180 *2, BSX62 *3, BD106A *3, BD106B *3, 2SD612KD *2, 2SD612K *2
КТ9181В MJE181, BSX63-6 *3, MJE181 *2, 2N6408 *2, KSD794A *2, 2SD794QR *2, 2SD794AR *2, 2SD794A *2, KSE181 *2, 2N6179 *2, 2SC1398P *3, 2SD1506, KSD794 *2, 2SD794R *2, 2SD794Q *2, 2SD794 *2
КТ9181Г MJE182, BD843 *1, BDP951 *1, KSE182 *2, D42C12 *3, D42C11 *3
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ9181А 12.5* Вт
КТ9181Б 12.5*
КТ9181В 12.5*
КТ9181Г 12.5*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ9181А ≥100 МГц
КТ9181Б ≥100
КТ9181В ≥100
КТ9181Г ≥100
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ9181А 40 В
КТ9181Б 60
КТ9181В 80
КТ9181Г 100
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ9181А 5 В
КТ9181Б 7
КТ9181В 7
КТ9181Г 7
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ9181А 3(7*) А
КТ9181Б 3(7*)
КТ9181В 3(7*)
КТ9181Г 3(7*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ9181А 30 В ≤1 мА
КТ9181Б 60 В ≤1
КТ9181В 80 В ≤1
КТ9181Г 100 В ≤1
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ9181А 2 В; 1 А 60…400*
КТ9181Б 1 В; 0.15 А 50…250*
КТ9181В 1 В; 0.15 А 50…250*
КТ9181Г 1 В; 0.15 А 50…250*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ9181А пФ
КТ9181Б
КТ9181В
КТ9181Г
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ9181А ≤0.25 Ом, дБ
КТ9181Б ≤0.4
КТ9181В ≤0.4
КТ9181Г ≤0.4
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ9181А Дб, Ом, Вт
КТ9181Б
КТ9181В
КТ9181Г
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ9181А пс
КТ9181Б
КТ9181В
КТ9181Г

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.