Транзистор КТ920

Цоколевка транзистора КТ920
Цоколевка транзистора КТ920

 

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n генераторные высокочастотные. Предназначены для применения в схемах усилителей мощности в том числе с амплитудной модуляцией, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 50-200 МГц при напряжении питания 12,6 В. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими ленточными выводами и монтажным винтом. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора не более 4,5 г.

 

Параметры транзистора КТ920
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ920А 2N5589, 2SC1603 *2, C1-28 *3
КТ920Б BLW18, 2N5590, 2SC2066 *2
КТ920В 2N5591, 2SC2642 *3, J03020 *3
КТ920Г BLY88A, MRF660 *3, ТН553 *2
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ920А 50 °C 5* Вт
КТ920Б 50 °C 10*
КТ920В 50 °C 25*
КТ920Г 50 °C 25*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ920А — ≥400 МГц
КТ920Б — ≥400
КТ920В — ≥400
КТ920Г — ≥350
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ920А — 36 В
КТ920Б — 36
КТ920В — 36
КТ920Г — 36
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ920А — 4 В
КТ920Б — 4
КТ920В — 4
КТ920Г — 4
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ920А — 0.25(1*) А
КТ920Б — 1(2*)
КТ920В — 3(7*)
КТ920Г — 3(7*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ920А 36 В ≤2* мА
КТ920Б 36 В ≤4*
КТ920В 36 В ≤7.5*
КТ920Г 36 В ≤7.5*
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ920А — —
КТ920Б — —
КТ920В — —
КТ920Г — —
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ920А 10 В ≤15 пФ
КТ920Б 10 В ≤25
КТ920В 10 В ≤75
КТ920Г 10 В ≤75
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ920А — ≥7.5** Ом, дБ
КТ920Б — ≥4.5**
КТ920В — ≥3**
КТ920Г — ≥3**
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ920А 175 МГц ≥2** Дб, Ом, Вт
КТ920Б 175 МГц ≥5**
КТ920В 175 МГц ≥20**
КТ920Г 175 МГц ≥15**
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ920А — ≤20 пс
КТ920Б — ≤20
КТ920В — ≤20
КТ920Г — ≤20

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.