Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n генераторные высокочастотные. Предназначены для применения в схемах усилителей мощности в том числе с амплитудной модуляцией, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 50-200 МГц при напряжении питания 12,6 В. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими ленточными выводами и монтажным винтом. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора не более 4,5 г.
Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
Аналог | КТ920А | 2N5589, 2SC1603 *2, C1-28 *3 | |||
КТ920Б | BLW18, 2N5590, 2SC2066 *2 | ||||
КТ920В | 2N5591, 2SC2642 *3, J03020 *3 | ||||
КТ920Г | BLY88A, MRF660 *3, ТН553 *2 | ||||
Структура | — | n-p-n | |||
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | КТ920А | 50 °C | 5* | Вт |
КТ920Б | 50 °C | 10* | |||
КТ920В | 50 °C | 25* | |||
КТ920Г | 50 °C | 25* | |||
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h21б, f**h21э, f***max | КТ920А | — | ≥400 | МГц |
КТ920Б | — | ≥400 | |||
КТ920В | — | ≥400 | |||
КТ920Г | — | ≥350 | |||
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. | КТ920А | — | 36 | В |
КТ920Б | — | 36 | |||
КТ920В | — | 36 | |||
КТ920Г | — | 36 | |||
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | КТ920А | — | 4 | В |
КТ920Б | — | 4 | |||
КТ920В | — | 4 | |||
КТ920Г | — | 4 | |||
Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | КТ920А | — | 0.25(1*) | А |
КТ920Б | — | 1(2*) | |||
КТ920В | — | 3(7*) | |||
КТ920Г | — | 3(7*) | |||
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | КТ920А | 36 В | ≤2* | мА |
КТ920Б | 36 В | ≤4* | |||
КТ920В | 36 В | ≤7.5* | |||
КТ920Г | 36 В | ≤7.5* | |||
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | КТ920А | — | — | |
КТ920Б | — | — | |||
КТ920В | — | — | |||
КТ920Г | — | — | |||
Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | КТ920А | 10 В | ≤15 | пФ |
КТ920Б | 10 В | ≤25 | |||
КТ920В | 10 В | ≤75 | |||
КТ920Г | 10 В | ≤75 | |||
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас, К**у.р. | КТ920А | — | ≥7.5** | Ом, дБ |
КТ920Б | — | ≥4.5** | |||
КТ920В | — | ≥3** | |||
КТ920Г | — | ≥3** | |||
Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, P**вых | КТ920А | 175 МГц | ≥2** | Дб, Ом, Вт |
КТ920Б | 175 МГц | ≥5** | |||
КТ920В | 175 МГц | ≥20** | |||
КТ920Г | 175 МГц | ≥15** | |||
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | КТ920А | — | ≤20 | пс |
КТ920Б | — | ≤20 | |||
КТ920В | — | ≤20 | |||
КТ920Г | — | ≤20 |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.
*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.
*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.
Сообщить об опечатке
Текст, который будет отправлен нашим редакторам: