Транзистор КТ921

Цоколевка транзистора КТ921
Цоколевка транзистора КТ921

 

Параметры транзистора КТ921
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ921А 2N5707, S10-12, 2SC1678 *3, MDS1678 *3, 2N5102 *2, 2N4933 *2
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ921А 75 °C 12.5* Вт
КТ921Б 75 °C 12.5*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ921А ≥90 МГц
КТ921Б ≥90
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ921А 0.1к 65* В
КТ921Б 0.1к 65*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ921А 4 В
КТ921Б 4
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ921А 3.5 А
КТ921Б 3.5
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ921А 70 В ≤10* мА
КТ921Б 70 В ≤10*
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ921А 10 В; 1 А ≥10*
КТ921Б 10 В; 1 А ≥10*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ921А 20 В ≤50 пФ
КТ921Б 20 В ≤50
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ921А ≤1.8; ≥8** Ом, дБ
КТ921Б ≤1.8; ≥8**
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ921А 60 МГц ≥12.5** Дб, Ом, Вт
КТ921Б 60 МГц ≥12.5**
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ921А ≤22; ≤300* пс
КТ921Б ≤22; ≤300*

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 —  функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.