Транзистор КТ922

Цоколевка транзисторов КТ922, КТ925

Цоколевка транзисторов КТ922, КТ925

 

Описание

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n генераторные высокочастотные. Предназначены для применения в схемах усилителей мощности, том числе при амплитудной модуляции, в умножителях частоты в автогенераторах на частотах выше 50 МГц при напряжении питания 28 В. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с четырьмя изолированными от корпуса гибкими ленточными выводами и монтажным винтом. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора не более 4,5 г.

 

Параметры транзистора КТ922
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ922А 2N5641, MRF5174 *3, TH550 *3
КТ922Б 2N5642, CD5918 *2, TH552 *2, TH553 *2
КТ922В 2N5643, CD5919A *3, CD2089 *3, J03020 *3
КТ922Г BLW24,  CD5918 *2, TH552 *2, TH553 *2
КТ922Д 2N4128,  CD5919A *3, CD2089 *3, J03020 *3
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ922А 40 °C 8* Вт
КТ922Б 40 °C 20*
КТ922В 40 °C 40*
КТ922Г 40 °C 20*
КТ922Д 40 °C 40*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ922А — ≥300 МГц
КТ922Б — ≥300
КТ922В — ≥300
КТ922Г — ≥300
КТ922Д — ≥250
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ922А 0.1к 65* В
КТ922Б 0.1к 65*
КТ922В 0.1к 65*
КТ922Г 0.1к 65*
КТ922Д 0.1к 65*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ922А — 4 В
КТ922Б — 4
КТ922В — 4
КТ922Г — 4
КТ922Д — 4
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ922А — 0.8(1.5*) А
КТ922Б — 1.5(4.5*)
КТ922В — 3(9*)
КТ922Г — 1.5(4.5*)
КТ922Д — 3(9*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ922А 65 В ≤5* мА
КТ922Б 65 В ≤20*
КТ922В 65 В ≤40*
КТ922Г 65 В ≤20*
КТ922Д 65 В ≤40*
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ922А — —
КТ922Б — —
КТ922В — —
КТ922Г — —
КТ922Д — —
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ922А 28 В ≤15 пФ
КТ922Б 28 В ≤35
КТ922В 28 В ≤65
КТ922Г 28 В ≤35
КТ922Д 28 В ≤65
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ922А — ≥10** Ом, дБ
КТ922Б — ≥5.5**
КТ922В — ≥4**
КТ922Г — ≥5**
КТ922Д — ≥3.5**
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ922А 175 МГц ≥5** Дб, Ом, Вт
КТ922Б 175 МГц ≥20**
КТ922В 175 МГц ≥40**
КТ922Г 175 МГц ≥17**
КТ922Д 175 МГц ≥35**
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ922А — ≤20 пс
КТ922Б — ≤20
КТ922В — ≤25
КТ922Г — ≤20
КТ922Д — ≤25

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.