Транзистор КТ925

Цоколевка транзисторов КТ922
Цоколевка транзисторов КТ922

 

Описание

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n генераторные сверхвысокочастотные. Предназначены для применения в схемах усилителей мощности на частотах 200-400 МГц при напряжении питания 12.6 В. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими ленточными выводами и монтажным винтом. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора не более 4,5 г.

 

Параметры транзистора КТ925
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ925А С3-12, 2SC1001 *3, SD1134 *2
КТ925Б С12-12, 2SC2105 *2, 2N5945 *2, 2N5915 *2
КТ925В С25-12, TH553 *3, 2SC2033 *2, J03020 *3
КТ925Г 2SC1001
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ925А 40 °C 5.5* Вт
КТ925Б 40 °C 11*
КТ925В 40 °C 25*
КТ925Г 40 °C 25*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ925А — ≥500 МГц
КТ925Б — ≥500
КТ925В — ≥450
КТ925Г — ≥450
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ925А — 36* В
КТ925Б — 36*
КТ925В — 36*
КТ925Г — 36*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ925А — 4 В
КТ925Б — 4
КТ925В — 3.5
КТ925Г — 3.5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ925А — 0.5(1*) А
КТ925Б — 1(3*)
КТ925В — 3.3(8.5*)
КТ925Г — 3.3(8.5*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ925А 36 В ≤7 мА
КТ925Б 36 В ≤12
КТ925В 36 В ≤30
КТ925Г 36 В ≤30
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ925А 5 В; 0.2 А ≥8*
КТ925Б — —
КТ925В — —
КТ925Г 5 В; 0.2 А ≥17*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ925А 12.6 В ≤15 пФ
КТ925Б 12.6 В ≤30
КТ925В 12.6 В ≤60
КТ925Г 12.6 В ≤60
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ925А — ≥6.3** Ом, дБ
КТ925Б — ≥5**
КТ925В — ≥3**
КТ925Г — ≥2.5**
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ925А 320 МГц ≥2** Дб, Ом, Вт
КТ925Б 320 МГц ≥5**
КТ925В 320 МГц ≥20**
КТ925Г 320 МГц ≥15**
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ925А — ≤20 пс
КТ925Б — ≤35
КТ925В — ≤40
КТ925Г — ≤40

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.