Транзистор КТ926

kt926

Описание

Транзисторные кремниевые меза-планарные n-p-n переключательные высокочастотные высоковольтные мощные. Предназначены для работы в импульсных модуляторах. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора не более 20 г.

 

Параметры транзистора КТ926
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ926А 2N1902, 2SC4886 *3, 1723-1410 *3, NTE328 *3, ECG328 *3, SDT8156 *3
КТ926Б 2N4933, 2SC1440
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ926А 50 °C 50* Вт
КТ926Б 50 °C 50*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ926А — ≥51 МГц
КТ926Б — ≥51
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ926А 0.01к 150* В
КТ926Б 0.01к 150*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ926А — 5 В
КТ926Б — 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ926А — 15(25*) А
КТ926Б — 15(25*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ926А 150 В ≤25* мА
КТ926Б 150 В ≤25*
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ926А 7 В; 15 А 10…60*
КТ926Б 5 В; 5 А 10…60*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ926А — — пФ
КТ926Б — —
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ926А — ≥0.17 Ом, дБ
КТ926Б — ≥0.17
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ926А — — Дб, Ом, Вт
КТ926Б — —
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ926А — — пс
КТ926Б — —

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.