Транзистор КТ927

Цоколевка транзистора КТ927
Цоколевка транзистора КТ927

 

Описание

Транзисторы кремниевые планарные n-p-n генераторные высокочастотные предназначены для применения в линейных усилителях мощности на частотах до 30 МГц при напряжении питания 28 В. Выпускаются в металлопластмассовом корпусе с жесткими выводами.  Внутри корпуса транзистора смонтирован диод, предназначенный для контроля температуры. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора не более 10 г.

 

Параметры транзистора КТ927
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ927А 2N4933, 2N5304 *2, BD111A *3, 2N6093
КТ927Б 2N6093, SK3197 *3, SD1457 *3, SDT3226 *3, PG1387 *3, PG1367 *3, PG1338 *1, 2SD1443A *3, BU100 *1, 2SD1445A *3, 2N6093
КТ927В 2N5940 *1, TIP543 *1, PG1341 *1, SDT7601 *3, SDT7A01 *3
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ927А 75 °C 83.3* Вт
КТ927Б 75 °C 83.3*
КТ927В 75 °C 83.3*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ927А — ≥105 МГц
КТ927Б — ≥105
КТ927В — ≥105
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ927А — 70* В
КТ927Б — 70*
КТ927В — 70*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ927А — 3.5 В
КТ927Б — 3.5
КТ927В — 3.5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ927А — 10(30*) А
КТ927Б — 10(30*)
КТ927В — 10(30*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ927А 70 В ≤40* мА
КТ927Б 70 В ≤40*
КТ927В 70 В ≤40*
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ927А 6 В; 5 А ≥15*
КТ927Б 6 В; 5 А ≥25*
КТ927В 6 В; 5 А ≥40*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ927А 28 В ≤190 пФ
КТ927Б 28 В ≤190
КТ927В 28 В ≤190
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ927А — ≤0.07; ≥13.4** Ом, дБ
КТ927Б — ≤0.07; ≥13.4**
КТ927В — ≤0.07; ≥13.4**
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ927А 20 МГц ≥75** Дб, Ом, Вт
КТ927Б 20 МГц ≥75**
КТ927В 20 МГц ≥75**
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ927А — — пс
КТ927Б — —
КТ927В — —

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.