Транзистор КТ928

Цоколевка транзистора КТ928
Цоколевка транзистора КТ928

 

Параметры транзистора КТ928
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ928А BSS29, 2N2217, 2N5581 *3, 2N2220
КТ928Б BSX32, 2N2219, TN2218A *1, BD827 *1, BD825 *3, 2N3299, 2N3301
КТ928В 2N2219A, D40D14 *3, D40D8 *3, SK9114, STZT2222 *1, FZT2222 *3, PZT2222 *3, 2N3300 *2, 2N3299 *2, 2N3302 *2
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ928А 0.5; 2* Вт
КТ928Б 0.5; 2*
КТ928В 0.5; 2*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ928А ≥250 МГц
КТ928Б ≥250
КТ928В ≥250
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ928А 60 В
КТ928Б 60
КТ928В 75
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ928А 5 В
КТ928Б 5
КТ928В 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ928А 0.8(1.2*) А
КТ928Б 0.8(1.2*)
КТ928В 0.8(1.2*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ928А 60 В ≤5 мА
КТ928Б 60 В ≤5
КТ928В 60 В ≤1
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ928А 5 В; 150 мА 20…100*
КТ928Б 5 В; 150 мА 50…200*
КТ928В 5 В; 150 мА 100…300*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ928А 10 В ≤12 пФ
КТ928Б 10 В ≤12
КТ928В 10 В ≤12
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ928А ≤3.3 Ом, дБ
КТ928Б ≤3.3
КТ928В ≤3.3
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ928А Дб, Ом, Вт
КТ928Б
КТ928В
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ928А ≤250* пс
КТ928Б ≤250*
КТ928В ≤250*

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 —  функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.