Транзистор КТ929

Цоколевка транзистора КТ929
Цоколевка транзистора КТ929

 

Описание

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n генераторные высокочастотные. Предназначены для применения в схемах усилителей мощности, в том числе при амплитудной модуляции, в умножителях частоты и автогенераторах на частотах более 50 МГц при напряжении питания 8 В. Выпускается в металлокерамическом корпусе с гибкими ленточными выводами и монтажным винтом. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора не более 4,5 г.

 

Параметры транзистора КТ929
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ929А B2-8Z, 2N5719, 2SC1165 *3, BLY38 *2, MRF5174 *2
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ929А 40 °C 6* Вт
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ929А — ≥700 МГц
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ929А 0.1к 30* В
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ929А — 3 В
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ929А — 0.8(1.5*) А
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ929А 30 В ≤5 мА
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ929А 5 В; 0.7 А ≥25*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ929А 8 В ≤20 пФ
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ929А — ≥8** Ом, дБ
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ929А 175 МГц ≥2** Дб, Ом, Вт
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ929А — ≤25 пс

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 —  функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.