
Описание
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n генераторные сверхвысокочастотные. Предназначены для применения в схемах широкополосных усилителей мощности класса С, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 100 — 400 МГц при напряжении питания 28 В. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими ленточными выводами. Транзистор содержит внутреннее согласующее LC-звено. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора не более 7 г.
Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
Аналог | КТ930А | 2N6362, СМ75-28, CD6105 *2, CD6105A *2, MRF325 *2, MRF5177 *3, MRF5177A *3 | |||
КТ930Б | 2N6364, UMIL70, C2M70-28R, UMIL60 *2 | ||||
Структура | — | n-p-n | |||
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | КТ930А | 40 °C | 75* | Вт |
КТ930Б | 40 °C | 120* | |||
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h21б, f**h21э, f***max | КТ930А | — | ≥450 | МГц |
КТ930Б | — | ≥600 | |||
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. | КТ930А | 0.1к | 50* | В |
КТ930Б | 0.1к | 50* | |||
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | КТ930А | — | 4 | В |
КТ930Б | — | 4 | |||
Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | КТ930А | — | 6* | А |
КТ930Б | — | 6* | |||
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | КТ930А | 50 В | ≤20* | мА |
КТ930Б | 50 В | ≤100* | |||
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | КТ930А | 5 В; 0.5 А | 40* | |
КТ930Б | 5 В; 0.5 А | 50* | |||
Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | КТ930А | 28 В | ≤80 | пФ |
КТ930Б | 28 В | ≤170 | |||
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас, К**у.р. | КТ930А | — | ≥5** | Ом, дБ |
КТ930Б | — | ≥3.5** | |||
Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, P**вых | КТ930А | 400 МГц | ≥40** | Дб, Ом, Вт |
КТ930Б | 400 МГц | ≥40** | |||
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | КТ930А | — | 8 | пс |
КТ930Б | — | 11 |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.
*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.
*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.
Сообщить об опечатке
Текст, который будет отправлен нашим редакторам: