Транзистор КТ937

Цоколевка транзистора КТ937
Цоколевка транзистора КТ937

 

Описание

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n генераторные сверхвысокочастотные. Предназначены для работы в схемах усиления мощности, генерирования, умножения частоты в диапазоне 0,9 — 5 ГГц в режимах с отсечкой коллекторного тока в герметизируемой аппаратуре. Выпускаются на металлокерамическом держателе с полосковыми выводами. Условное обозначение типа
приводится на верхней части держателя 2Т937А-2 — буква А и одна зеленая точка, 2Т937Б-2 — буква Б и одна белая точка, КТ937А-2 — буква А и две зеленые точки, КТ937Б-2 — буква Б и две белые точки. Обозначение типа приводится также на этикетке. Масса транзистора не более 2 г.

 

Параметры транзистора КТ937
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ937А-2 MS0146, 2L08 *2, МА42181-510 *3, LUE2009S *3, LEE1010T *3
КТ937Б-2 РТВ42003Х, 2L15A *2, 2L15B *2, 2L15С *2, LTE42008R *3, PJC4003T *3, SD1848 *3, 2SC2093 *3, NE33353B *3, NE33387 *3, NE33354 *3, NE33353E *3, NE56963 *3
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ937А-2 — 3.6* Вт
КТ937Б-2 — 7.4*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ937А-2 — 6500 МГц
КТ937Б — 6500
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ937А-2 — 25 В
КТ937Б-2 — 25
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ937А-2 — 2.5 В
КТ937Б-2 — 2.5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ937А-2 — 250 мА
КТ937Б-2 — 450
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ937А-2 25 В ≤2 мА
КТ937Б-2 25 В ≤5
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ937А-2 — —
КТ937Б-2 — —
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ937А-2 20 В ≤5.5 пФ
КТ937Б-2 20 В ≤7.5
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ937А-2 — — Ом, дБ
КТ937Б-2 — —
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ937А-2 5 ГГц ≥1.6** Дб, Ом, Вт
КТ937Б-2 5 ГГц ≥3.2**
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ937А-2 — 0.78 пс
КТ937Б-2 — 0.6

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 —  функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.