Описание

 

Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный n-p-n усилительный сверхвысокочастотный. Предназначен для усилителей класса А с повышенными требованиями к линейности. Выпускается в металлокерамическом корпусе с гибкими полосковыми выводами. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора не болеe 2 г.

 

Параметры транзистора КТ939

Параметр	Обозначение	Маркировка	Условия	Значение	Ед. изм.
Аналог		КТ939А		2SC1262, 2N3866, 2SC4271C *3, 2SC3950 *1, 2SC3595C *1
		КТ939Б		SD1308, MRFQ17 *3, 2SC1251 *2
Структура			—	n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора	PK max,P*K, τ max,P**K, и max	КТ939А	—	4*	Вт
		КТ939Б	—	4*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером	fгр, f*h21б, f**h21э, f***max	КТ939А	—	≥2500	МГц
		КТ937Б	—	≥1500
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера	UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб.	КТ939А	0.01к	30*	В
		КТ939Б	0.01к	30*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора	UЭБО проб.,	КТ939А	—	3.5	В
		КТ939Б	—	3.5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора	IK max, I*К , и max	КТ939А	—	400	мА
		КТ939Б	—	400
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера	IКБО, I*КЭR, I**КЭO	КТ939А	30 В	≤2	мА
		КТ939Б	30 В	≤2
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером	h21э,  h*21Э	КТ939А	12 В; 0.2 А	40…200*
		КТ939Б	12 В; 0.2 А	20…200*
Емкость коллекторного перехода	cк,  с*12э	КТ939А	12 В	≤5.5	пФ
		КТ939Б	12 В	≤6
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером	rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р.	КТ939А	—	—	Ом, дБ
		КТ939Б	—	—
Коэффициент шума транзистора	Кш, r*b, P**вых	КТ939А	—	—	Дб, Ом, Вт
		КТ939Б	—	—
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте	τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс)	КТ939А	—	≤9	пс
		КТ939Б	—	≤10

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 —  функциональная замена, тип корпуса отличается.