Транзистор КТ939

Цоколевка транзистора КТ939
Цоколевка транзистора КТ939

 

Описание

 

Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный n-p-n усилительный сверхвысокочастотный. Предназначен для усилителей класса А с повышенными требованиями к линейности. Выпускается в металлокерамическом корпусе с гибкими полосковыми выводами. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора не болеe 2 г.

 

Параметры транзистора КТ939
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ939А 2SC1262, 2N3866, 2SC4271C *3, 2SC3950 *1, 2SC3595C *1
КТ939Б SD1308, MRFQ17 *3, 2SC1251 *2
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ939А 4* Вт
КТ939Б 4*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ939А ≥2500 МГц
КТ937Б ≥1500
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ939А 0.01к 30* В
КТ939Б 0.01к 30*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ939А 3.5 В
КТ939Б 3.5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ939А 400 мА
КТ939Б 400
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ939А 30 В ≤2 мА
КТ939Б 30 В ≤2
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ939А 12 В; 0.2 А 40…200*
КТ939Б 12 В; 0.2 А 20…200*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ939А 12 В ≤5.5 пФ
КТ939Б 12 В ≤6
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ939А Ом, дБ
КТ939Б
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ939А Дб, Ом, Вт
КТ939Б
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ939А ≤9 пс
КТ939Б ≤10

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 —  функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.