Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
Аналог | КТ945А | BDY90, 2SC519A | |||
КТ945Б | 2SC4886 *1, 2SC3284 *1, NTE328 *2, ECG328 *2, 2SC1440 *2 | ||||
2Т945А | MJ3281A *2, MJL3281A *3, 2SC3281R *3, 2SC3281 *3, 2SC3281F *3, 2SC3519A *3, 2SC2461A-R, 2SC3519 *1, BUY73 *2, SK9446 *3 | ||||
2Т945В | 1714-1405 *3, 1714-1402 *3, BUY55, SDT85309,SDT7610,
SDT7150 *1, SDT85609 *1, SDT7B08 *1 |
||||
Структура | — | n-p-n | |||
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | КТ945А | 50 °C | 50* | Вт |
КТ945Б | 50 °C | 50* | |||
КТ945В | 50 °C | 50* | |||
КТ945Г | 50 °C | 50* | |||
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h21б, f**h21э, f***max | КТ945А | — | ≥50 | МГц |
КТ945Б | — | ≥50 | |||
КТ945В | — | ≥50 | |||
КТ945Г | — | ≥50 | |||
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. | КТ945А | 10 Ом | 150* | В |
КТ945Б | 10 Ом | 150* | |||
КТ945В | 10 Ом | 150* | |||
КТ945Г | 10 Ом | 150* | |||
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | КТ945А | — | 5 | В |
КТ945Б | — | 5 | |||
КТ945В | — | 5 | |||
КТ945Г | — | 5 | |||
Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | КТ945А | — | 15(25*) | А |
КТ945Б | — | 15(25*) | |||
КТ945В | — | 10(25*) | |||
КТ945Г | — | 15(25*) | |||
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | КТ945А | 150 В | ≤25* | мА |
КТ945Б | 150 В | ≤25* | |||
КТ945В | 150 В | ≤25* | |||
КТ945Г | 150 В | ≤25* | |||
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | КТ945А | 7 В; 15 А | 10…60* | |
КТ945Б | 7 В; 15 А | 10…60 | |||
КТ945В | 7 В; 10 А | 10…60 | |||
КТ945Г | 7 В; 15 А | 10…60 | |||
Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | КТ945А | 30 В | ≤200 | пФ |
КТ945Б | 30 В | ≤200 | |||
КТ945В | 30 В | ≤200 | |||
КТ945Г | 30 В | ≤200 | |||
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас, К**у.р. | КТ945А | — | ≤0.17 | Ом, дБ |
КТ945Б | — | ≤0.17 | |||
КТ945В | — | ≤0.25 | |||
КТ945Г | — | ≤0.17 | |||
Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, P**вых | КТ945А | — | — | Дб, Ом, Вт |
КТ945Б | — | — | |||
КТ945В | — | — | |||
КТ945Г | — | — | |||
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | КТ945А | — | ≤1.1 мкс | пс |
КТ945Б | — | ≤1.1 мкс | |||
КТ945В | — | ≤1.1 мкс | |||
КТ945Г | — | ≤1.1 мкс |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.
*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.
*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.
*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.
Сообщить об опечатке
Текст, который будет отправлен нашим редакторам: