
Описание
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n высокочастотные генераторные. Предназначены для применения в линейных широкополосных. Усилителях мощности в диапазоне частот 1,5 — 30 МГц при напряжении питания 28 в. Выпускается в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора не более 15 г.
| Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
| Аналог | КТ956А | S80-28, BLV75/12 *3, 2N2117 *3, 2N6482 *3 | |||
| Структура | — | n-p-n | |||
| Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | КТ956А | 100 °C | 70** | Вт |
| Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h21б, f**h21э, f***max | КТ956А | — | ≥100 | МГц |
| Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. | КТ956А | 0.01к | 100* | В |
| Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | КТ956А | — | 4 | В |
| Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | КТ956А | — | 15 | А |
| Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | КТ956А | 100 В | ≤80* | мА |
| Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | КТ956А | (5 В; 1 А) | 10…80* | |
| Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | КТ956А | 28 В | ≤400 | пФ |
| Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас, К**у.р. | КТ956А | — | ≥20** | Ом, дБ |
| Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, P**вых | КТ956А | 30 МГц | ≥100** | Дб, Ом, Вт |
| Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | КТ956А | — | — | пс |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.
*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.
Сообщить об опечатке
Текст, который будет отправлен нашим редакторам: