Транзистор КТ958

Цоколевка транзистора КТ958
Цоколевка транзистора КТ958

 

Описание

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n генераторные высокочастотные. Предназначены для применения в схемах широкополосных усилителей мощности класса С, в умножителях частоты и автогенераторах на частотах  50 — 200 МГц при напряжении питания 12,6 В.
Выпускаются  в металлокерамическом корпусе с гибкими ленточными выводами. Транзистор содержит внутреннее согласующее LC звено. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора не более 7 г.

 

Параметры транзистора КТ958
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ958А ВМ40-12, CM30-12A, J02015A *1
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ958А 40 °C 85** Вт
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ958А — ≥300 МГц
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ958А 0.01к 36* В
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ958А — 4 В
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ958А — 10 А
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ958А 36 В ≤25* мА
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ958А (8 В; 0.5 А) ≥10*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ958А 12 В ≤180 пФ
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ958А — 0.16; ≥4** Ом, дБ
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ958А 175 МГц ≥40** Дб, Ом, Вт
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ958А — 12 пс

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.