Транзистор КТ960

Цоколевка транзисторов КТ958, КТ960
Цоколевка транзисторов КТ958, КТ960

 

Описание

Транзисторы кремниевые эпитаксиатьно-ппанарные п-р-п генераторные сверхвысокочастотные. Предназначены для применения в схемах усилителей мощности класса С, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 100-400 МГц при напряжении питания 12 6 В.

Выпускаются  в металлокерамическом корпусе с гибкими ленточными выводами. Транзистор содержит внутреннее согласующее LC звено. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора не более 7 г.

 

Параметры транзистора КТ960
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ960А СМ40-12, CD6105A *3, А5919 *3, 2SC2173 *3, 2SC2381 *2, 2SC2643 *2, MRF326
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ960А 40 °C 70** Вт
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ960А — ≥600 МГц
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ960А 0.01к 36* В
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ960А — 4 В
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ960А — 7 А
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ960А 36 В ≤20* мА
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ960А — —
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ960А 12 В ≤120 пФ
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ960А — 0.16; ≥2.5** Ом, дБ
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ960А 400 МГц ≥40** Дб, Ом, Вт
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ960А — 12.5 пс

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 —  функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.