Транзистор КТ961

Цоколевка транзисторов КТ961, КТ961-1
Цоколевка транзисторов КТ961, КТ961-1

 

Параметры транзистора КТ961
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ961А BD139, BD165 *2, BD230 *2, KD137A *1, KD139A *1, KD137 *1, KD139 *1, KD135A *3, BSS15 *3, KD135 *3, 2N6178 *2, BD375 *2, 2N5320 *3, BD375-6 *2, BDC01D *3
КТ961Б 2N6408, KD137B *1, BD135-10 *1, KD135В *1
КТ961В NSD103 *1, KD135С *1, BSX45-16 *3
КТ961Г BD109 *1, DTL3405 *3, DTL3425 *3, S15-28 *3
КТ961Б1 BD137, BD371C
КТ961В1 BD135
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ961А — 1(12.5*) Вт
КТ961Б — 1(12.5*)
КТ961В — 1(12.5*)
КТ961Г — 1(12.5*)
КТ961А1 — 0.5
КТ961Б1 — 0.5
КТ961В1 — 0.5
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ961А — ≥50 МГц
КТ961Б — ≥50
КТ961В — ≥50
КТ961Г — ≥50
КТ961А1 — ≥50
КТ961Б1 — ≥50
КТ961В1 — ≥50
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ961А 1к 100* В
КТ961Б 1к 80*
КТ961В 1к 60*
КТ961Г 1к 40*
КТ961А1 — 100
КТ961Б1 — 80
КТ961В1 — 60
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ961А — 5 В
КТ961Б — 5
КТ961В — 5
КТ961Г — 5
КТ961А1 — 5
КТ961Б1 — 5
КТ961В1 — 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ961А — 1.5(2*) А
КТ961Б — 1.5(2*)
КТ961В — 1.5(2*)
КТ961Г — 2(3*)
КТ961А1 — 1
КТ961Б1 — 1
КТ961В1 — 1
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ961А 60 В ≤10 мА
КТ961Б 60 В ≤10
КТ961В 60 В ≤10
КТ961Г 60 В ≤10
КТ961А1 60 В ≤10
КТ961Б1 60 В ≤10
КТ961Г1 60 В ≤10
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ961А 2 В; 0.15 А 40…100*
КТ961Б 2 В; 0.15 А 63…160*
КТ961В 2 В; 0.15 А 100…250*
КТ961Г 2 В; 0.15 А 20…500*
КТ961А1 2 В; 0.15 А 40…100
КТ961Б1 2 В; 0.15 А 63…160
КТ961Г1 2 В; 0.15 А 100…250
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ961А — — пФ
КТ961Б — —
КТ961В — —
КТ961Г — —
КТ961А1 — ≤45
КТ961Б1 — ≤45
КТ961Г1 — ≤45
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ961А — ≤1 Ом, дБ
КТ961Б — ≤1
КТ961В — ≤1
КТ961Г — ≤1
КТ961А1 — ≤1
КТ961Б1 — ≤1
КТ961Г1 — ≤1
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ961А — — Дб, Ом, Вт
КТ961Б — —
КТ961В — —
КТ961Г — —
КТ961А1 — —
КТ961Б1 — —
КТ961Г1 — —
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ961А — — пс
КТ961Б — —
КТ961В — —
КТ961Г — —
КТ961А1 — —
КТ961Б1 — —
КТ961Г1 — —

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 —  функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.