Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
Аналог | КТ962А | DM10-28, NE1010E | |||
КТ962Б | DM20-28, 46120, CD2435 | ||||
КТ962В | DM40-28, MRF1035MC *3, MK312040WD *1, MR1011B40W *1, 0510-25 *3 | ||||
Структура | — | n-p-n | |||
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | КТ962А | 40 °C | 17** | Вт |
КТ962Б | 40 °C | 27** | |||
КТ962В | 40 °C | 66** | |||
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h21б, f**h21э, f***max | КТ962А | — | ≥750 | МГц |
КТ962Б | — | ≥750 | |||
КТ962В | — | ≥600 | |||
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. | КТ962А | — | 50 | В |
КТ962Б | — | 50 | |||
КТ962В | — | 50 | |||
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | КТ962А | — | 4 | В |
КТ962Б | — | 4 | |||
КТ962В | — | 4 | |||
Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | КТ962А | — | 1.5 | А |
КТ962Б | — | 2.5 | |||
КТ962В | — | 4 | |||
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | КТ962А | 50 В | ≤20 | мА |
КТ962Б | 50 В | ≤20 | |||
КТ962В | 50 В | ≤30 | |||
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | КТ962А | — | — | |
КТ962Б | — | — | |||
КТ962В | — | — | |||
Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | КТ962А | 28 В | ≤20 | пФ |
КТ962Б | 28 В | ≤35 | |||
КТ962В | 28 В | ≤50 | |||
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас, К**у.р. | КТ962А | — | ≥4** | Ом, дБ |
КТ962Б | — | ≥4** | |||
КТ962В | — | ≥4** | |||
Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, P**вых | КТ962А | 1 ГГц | ≥10** | Дб, Ом, Вт |
КТ962Б | 1 ГГц | ≥20** | |||
КТ962В | 1 ГГц | ≥40** | |||
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | КТ962А | — | ≤15 | пс |
КТ962Б | — | ≤14 | |||
КТ962В | — | ≤11 |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.
*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.
*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.
*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.
Сообщить об опечатке
Текст, который будет отправлен нашим редакторам: