Транзистор КТ973

Цоколевка транзистора КТ973
Цоколевка транзистора КТ973

 

Параметры транзистора КТ973
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ973А BD876, 2SB1257 *3, BSP61 *3, 2SA1258 *3, 2SA1259 *3
КТ973Б BD466B, BSP60 *3, SDM3203 *3
Структура  — p-n-p
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ973А — 8* Вт
КТ973Б — 8*
КТ973В — 8*
КТ973Г — 8*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ973А — ≥200 МГц
КТ973Б — ≥200
КТ973В — ≥200
КТ973Г — ≥200
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ973А 1к 60* В
КТ973Б 1к 45*
КТ973В 1к 60*
КТ973Г 1к 60*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ973А — 5 В
КТ973Б — 5
КТ973В — 5
КТ973Г — 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ973А — 4* А
КТ973Б — 4*
КТ973В — 2
КТ973Г — 2
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ973А 60 В ≤1* мА
КТ973Б 45 В ≤1*
КТ973В 60 В ≤1*
КТ973Г 60 В ≤1*
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ973А 3 В; 1 А ≥750*
КТ973Б 3 В; 1 А ≥750*
КТ973В 3 В; 1 А 750…5000
КТ973Г 3 В; 1 А 750…5000
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ973А — ≤3 пФ
КТ973Б — ≤3
КТ973В — ≤3
КТ973Г — ≤2
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ973А — — Ом, дБ
КТ973Б — —
КТ973В — —
КТ973Г — —
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ973А — — Дб, Ом, Вт
КТ973Б — —
КТ973В — —
КТ973Г — —
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ973А — ≤200* пс
КТ973Б — ≤200*
КТ973В — ≤200*
КТ973Г — ≤200*

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.