Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
Аналог | КТ980А | CM40-12, MRF448 *3, MRF429 *3, MRF317 *3, SD1407 *3, MRF422 *3, BAL0002-100 *3 | |||
КТ980Б | TH430, MRF448 *3, MRF429 *3, MRF317 *3, SD1407 *3, MRF422 *3, BAL0002-100 *3 | ||||
Структура | — | n-p-n | |||
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | КТ980А | — | 300* | Вт |
КТ980Б | — | 300* | |||
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h21б, f**h21э, f***max | КТ980А | — | ≥150 | МГц |
КТ980Б | — | ≥150 | |||
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. | КТ980А | 0.01к | 100* | В |
КТ980Б | 0.01к | 100* | |||
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | КТ980А | — | 4 | В |
КТ980Б | — | 4 | |||
Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | КТ980А | — | 15 | А |
КТ980Б | — | 15 | |||
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | КТ980А | 100 В | ≤100 | мА |
КТ980Б | 100 В | ≤100 | |||
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | КТ980А | 10 В; 5 А | ≥15* | |
КТ980Б | 10 В; 5 А | ≥10 | |||
Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | КТ980А | 50 В | ≤450 | пФ |
КТ980Б | 50 В | ≤450 | |||
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас, К**у.р. | КТ980А | 30 МГц | ≥25** | Ом, дБ |
КТ980Б | 80 МГц | ≥5** | |||
Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, P**вых | КТ980А | 30 МГц | ≥250** | Дб, Ом, Вт |
КТ980Б | 80 МГц | ≥250** | |||
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | КТ980А | — | — | пс |
КТ980Б | — | — |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.
*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.
Сообщить об опечатке
Текст, который будет отправлен нашим редакторам: