Обозначение выводов: 1, 5, 8, 12 — база 2, 6, 9, 13 — коллектор 3,7, 10, 14 — эмиттер 15 — корпус 4,11-свободный |
Описание
Транзисторные матрицы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п переключательные. Предназначены для быстродействующих импульсных схем. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса. Матрица содержит четыре изолированные транзисторные структуры. Масса матрицы не более 4 г
Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
Аналог | КТС613А | MQ2218 | |||
КТС613Б | MQ2218A | ||||
КТС613В | MQ2218 | ||||
КТС613Г | MQ2218 | ||||
Структура | — | n-p-n | |||
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | КТС613А | 50°C | 0.8 | Вт |
КТС613Б | 50°C | 0.8 | |||
КТС613В | 50°C | 0.8 | |||
КТС613Г | 50°C | 0.8 | |||
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h21б, f**h21э, f***max | КТС613А | — | ≥200 | МГц |
КТС613Б | — | ≥200 | |||
КТС613В | — | ≥200 | |||
КТС613Г | — | ≥200 | |||
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. | КТС613А | — | 60 | В |
КТС613Б | — | 60 | |||
КТС613В | — | 40 | |||
КТС613Г | — | 40 | |||
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | КТС613А | — | 4 | В |
КТС613Б | — | 4 | |||
КТС613В | — | 4 | |||
КТС613Г | — | 4 | |||
Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | КТС613А | — | 0.4(0.8*) | А |
КТС613Б | — | 0.4(0.8*) | |||
КТС613В | — | 0.4(0.8*) | |||
КТС613Г | — | 0.4(0.8*) | |||
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | КТС613А | 60 В | ≤8 | мкА |
КТС613Б | 60 В | ≤8 | |||
КТС613В | 40 В | ≤8 | |||
КТС613Г | 40 В | ≤8 | |||
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | КТС613А | 5 В; 0.2 А | 25…100* | |
КТС613Б | 5 В; 0.2 А | 40…200* | |||
КТС613В | 5 В; 0.2 А | 20…120* | |||
КТС613Г | 5 В; 0.2 А | 50…300* | |||
Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | КТС613А | 10 В | ≤15 | пФ |
КТС613Б | 10 В | ≤15 | |||
КТС613В | 10 В | ≤15 | |||
КТС613Г | 10 В | ≤15 | |||
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас, К**у.р. | КТС613А | — | ≤2.5 | Ом, дБ |
КТС613Б | — | ≤2.5 | |||
КТС613В | — | ≤2.5 | |||
КТС613Г | — | ≤2.5 | |||
Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, P**вых | КТС613А | — | — | Дб, Ом, Вт |
КТС613Б | — | — | |||
КТС613В | — | — | |||
КТС613Г | — | — | |||
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | КТС613А | — | ≤100* | пс |
КТС613Б | — | ≤100* | |||
КТС613В | — | ≤100* | |||
КТС613Г | — | ≤100* |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.
Сообщить об опечатке
Текст, который будет отправлен нашим редакторам: