MD2310FX — кремниевый NPN транзистор

Корпус транзистора MD2310FX и его обозначение на схеме
Корпус транзистора MD2310FX и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников с большими диагоналями ЭЛТ.

Особенности:

  • Новое поколение мощных высоковольтных транзисторов с высокой скоростью переключения.
  • Высокое напряжение пробоя.
  • Широкая область безопасной работы.
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение Единицы
Vcbo Напряжение коллектор-база Ie = 0 — — 1500 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер Ib = 0 — — 700 В
Vebo Напряжение эмиттер-база Ic = 0 В  — — 9 В
Ic Ток коллектора — — — 14 А
Ip Ток коллектора импульсный (t≤5 мс) — — — 21 А
Ib Ток базы — — — 7 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе T = 25 °C — — 62 Вт
Ices Обратный ток коллектора Vce = 1500 В, Veb = 0 В — — 200 мкА
Iebo Обратный ток эмиттера Vbe = 5 В, Ic = 0 — — 10 мкА
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 7,0 A, Ib = 1,75 А — — 2,5 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 7,0 A, Ib = 1,75 А — — 1,1 В
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 7 В, Ic = 5,0 А 5,5 — 8,5 —
Tf Время спада импульса индуктивная нагрузка — 0,12 0,25 мкс

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.