| Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
| Аналог | П214 | — | 2N2660 | ||
| П214А | — | AD263, AD457 | |||
| П214Б | — | AD1203 | |||
| П214В | — | AD263 | |||
| П214Г | — | AF262 | |||
| Структура | — | — | p-n-p | Вт | |
| Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | П214 | — | 10* | |
| П214А | — | 10* | |||
| П214Б | — | 11.5* | |||
| П214В | 10* | ||||
| П214Г | 10* | ||||
| Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h21б, f**h21э, f***max | П214 | — | ≥0.2* | МГц |
| П214А | — | ≥0.2* | |||
| П214Б | — | ≥0.2* | |||
| П214В | ≥0.2* | ||||
| П214Г | ≥0.2* | ||||
| Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. | П214 | — | 60 | В |
| П214А | — | 60 | |||
| П214Б | — | 60 | |||
| П214В | 60 | ||||
| П214Г | 60 | ||||
| Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | П214 | — | 15 | В |
| П214А | — | 15 | |||
| П214Б | — | 15 | |||
| П214В | 10 | ||||
| П214Г | 10 | ||||
| Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | П214 | — | 5 | А |
| П214А | — | 5 | |||
| П214Б | — | 5 | |||
| П214В | 5 | ||||
| П214Г | 5 | ||||
| Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | П214 | — | ≤0.3 | мА |
| П214А | — | ≤0.3 | |||
| П214Б | — | ≤0.15 | |||
| П214В | ≤1.5 | ||||
| П214Г | ≤1.5 | ||||
| Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | П214 | 5 В; 0.2 А | 20…60* | |
| П214А | 5 В; 0.2 А | 50…150* | |||
| П214Б | 5 В; 0.2 А | 20…150* | |||
| П214В | 5 В; 0.2 А | ≥20* | |||
| П214Г | — | — | |||
| Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | П214 | — | — | пФ |
| П214А | — | — | |||
| П214Б | — | — | |||
| П214В | — | — | |||
| П214Г | — | — | |||
| Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас | П214 | — | ≤0.3 | Ом |
| П214А | — | ≤0.3 | |||
| П214Б | — | ≤0.3 | |||
| П214В | — | ≤0.3 | |||
| П214Г | — | ≤0.3 | |||
| Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, Pвых | П214 | — | — | Дб, Ом, Вт |
| П214А | — | — | |||
| П214Б | — | — | |||
| П214В | — | — | |||
| П214Г | — | — | |||
| Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | П214 | — | — | пс |
| П214А | — | — | |||
| П214Б | — | — | |||
| П214В | — | — | |||
| П214Г | — | — |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.
базу и эмиттер поменяйте местами.
Отредактировали. Спасибо!