S2055AF — кремниевый NPN диффузионный транзистор

Корпус транзистора S2055AF и его обозначение на схеме
Корпус транзистора S2055AF и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников.

Особенности:

  • Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
  • Низкое напряжение насыщения.
  • Изолированный корпус.
  • Встроенный демпферный диод.
  • Прибор снят с производства, рекомендованная замена — S2055N.
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение Единицы
Vcbo Напряжение коллектор-база — — — 1500 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер — — — 600 В
Vebo Напряжение эмиттер-база — — — 5 В
Ic Ток коллектора постоянный/импульсный — — — 5,0/10 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе T = 25 °C — — 50 Вт
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 0,5 А 2,5 — — —
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 4,5 A, Ib = 2,0 А — — 1,0 В
FT Граничная частота эффективного усиления  Vce = 10 В,Ic = 0,1 А — 3,0 — МГц
Ib Ток базы — — — 3,5 А
Tf Время спада импульса F = 15,75 кГц — — 1,0 мкс

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.