Описание
Кремниевый NPN эпитаксиальный мезотранзистор для импульсных источников и выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников и мониторов.
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Неизолированный корпус.
- Широкая область безопасной работы.
| Предельно допустимые и основные электрические параметры | ||||||
| Символы | Параметр | Условия | Мин. значение | Тип. значение | Макс. значение | Единицы |
| Vces | Напряжение коллектор-эмиттер | Vbe = 0 | — | — | 1200 | В |
| Vceo | Напряжение коллектор-эмиттер | Ib = 0 | — | — | 600 | В |
| Vebo | Напряжение эмиттер-база | Ic = 0 В | — | 7 | В | |
| Ic | Ток коллектора | — | — | — | 7,0 | А |
| Ip | Ток коллектора импульсный (t≤5 мс) | — | — | — | 12,0 | А |
| Ib | Ток базы | — | — | — | 5,0 | А |
| Ibp | Ток базы импульсный (t≤5 мс) | — | — | — | 8,0 | А |
| Pc | Мощность, рассеиваемая на коллекторе | T = 25 °C | — | — | 85 | Вт |
| Ices | Обратный ток коллектора | Vcb = 1200 В, Veb = 0 В | — | — | 200 | мкА |
| Iceo | Обратный ток коллектора | Vce = 600 В, Ib = 0 | — | — | 2 | мА |
| Iebo | Обратный ток эмиттера | Veb = 7 В, Ic = 0 В | — | — | 1,0 | мА |
| Vce_sat | Напряжение насыщения К-Э | Ic = 3,5 A, Ib = 0,7 А | — | — | 1,5 | В |
| Vbe_sat | Напряжение насыщения Б-Э | Ic = 3,5 A, Ib = 0,7 А | — | — | 1,5 | В |
| Tf | Время спада импульса | индуктивная нагрузка | — | — | 0,3 | мкс |
Сообщить об опечатке
Текст, который будет отправлен нашим редакторам: