ST13003 — кремниевый NPN эпитаксиальный планарный транзистор

Корпус транзистора ST13003 и его обозначение на схеме
Корпус транзистора ST13003 и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN эпитаксиальный планарный транзистор для импульсных источников питания и пусковых схем осветительных приборов.

Особенности:

  • Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
  • Высокое напряжение пробоя.
  • Неизолированный корпус.
  • Широкая область безопасной работы.
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение Единицы
Vces Напряжение коллектор-эмиттер Vbe = 0 — — 700 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер Ib = 0 — — 400 В
Vebo Напряжение эмиттер-база Ic = 0 В — — 7 В
Ic Ток коллектора — — — 1,5 А
Ip Ток коллектора импульсный (t≤5 мс) — — — 3,0 А
Ib Ток базы — — — 0,75 А
 Ibp Ток базы импульсный (t≤5 мс) — — — 1,5 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе T = 25 °C — — 40 Вт
Icev Обратный ток коллектора Vcb = 700 В, Veb = -1,5 В — — 1000 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 5,0 мА 10 — — —
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 1,0 A, Ib = 0,25 А — — 1,0 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 1,0 A, Ib = 0,25 А — — 1,2 В
Tf Время спада импульса индуктивная нагрузка — — 0,8 мкс
резистивная нагрузка — — 0,7

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.