ST13007 — кремниевый NPN эпитаксиальный планарный транзистор

Корпус транзистора ST13007 и его обозначение на схеме
Корпус транзистора ST13007 и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN эпитаксиальный планарный транзистор для импульсных источников питания.

Особенности:

  • Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
  • Высокое напряжение пробоя.
  • Неизолированный корпус.
  • Широкая область безопасной работы.
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение Единицы
Vcev Напряжение коллектор-эмиттер Vbe = -1,5 В — — 700 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер Ib = 0 — — 400 В
Vebo Напряжение эмиттер-база Ic = 0 В — — 9 В
Ic Ток коллектора — — — 8,0 А
Ip Ток коллектора импульсный (t≤5 мс) — — — 16,0 А
Ib Ток базы — — — 4,0 А
 Ibp Ток базы импульсный (t≤5 мс) — — — 8,0 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе T = 25 °C — — 80 Вт
Icev Обратный ток коллектора Vcb = 700 В, Veb = -1,5 В — — 10 мкА
Iebo Обратный ток эмиттера Veb = 9 В, Ic = 0 В — — 1,0 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 2,0 А 16 — 30 —
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 2,0 A, Ib = 0,4 А — — 1,0 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 2,0 A, Ib = 0,4 А — — 1,2 В
Tf Время спада импульса резистивная нагрузка — 0,35 — мкс
индуктивная нагрузка — 0,11 —

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.