THD200FI — кремниевый NPN эпитаксиальный мезотранзистор

Корпус транзистора THD200FI и его обозначение на схеме
Корпус транзистора THD200FI и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN эпитаксиальный мезотранзистор для выходных каскадов строчной развертки мониторов.

Особенности:

  • Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
  • Высокое напряжение пробоя.
  • Изолированный корпус.
  • Широкая область безопасной работы.
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение Единицы
Vcbo Напряжение коллектор-база Ie = 0 — — 1500 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер Ib = 0 — — 700 В
Vebo Напряжение эмиттер-база Ic = 0 — — 10 В
Ic Ток коллектора — — — 10,0 А
Ip Ток коллектора импульсный (t≤5 мс) — — — 20,0 —
Ib Ток базы — — — 5,0 А
Ibp Ток базы импульсный (t≤5 мс) — — — 10,0 —
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе T = 25 °C — — 57 Вт
Ices Обратный ток коллектора Vcb = 1500 В, Veb = 0 В — — 200 мкА
Iebo Обратный ток эмиттера Veb = 5 В, Ic = 0 В 70 — 100 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 7,0 А 6,5 — 13 —
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 7,0 A, Ib = 1,5 А — — 1,5 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 7,0 A, Ib = 1,5 А — — 1,3 В
Tf Время спада импульса индуктивная нагрузка — 0,215 — мкс

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.