Описание

Гептод для преобразования частоты в импульсных схемах радиоэлектронных устройств. Оформление — в стеклянной оболочке, миниатюрное. Масса 15 г.

Основные параметры при U_н = 6.3 В, U_a = 200 В,   U_c2 = U_c4 = 100 В, U_c3 = 0, U_c1 = -10 В

Параметр	Условия	6А4П	Ед. изм.
Аналог	—	—	—
Ток накала	—	440±30	мА
Ток анода	в импульсе	≥34	мА
Ток второй сетки	в импульсе	≤26	мА
Ток четвертой сетки	в импульсе	≤32	мА
Обратный ток первой сетки	при Uc1 = -2 В	≤0,5	мкА
Напряжение отсечки тока анода, отрицательное	при токе анода 0,5 мА по первой сетке	≤5,5	В
	при токе анода 0,5 мА по третьей сетке	≤15
Крутизна характеристики	по первой сетке при Uc1 = -11 В	≥16	мА/В
	по третьей сетке при Uc3 = -3 В	≥5,5
Межэлектродные емкости	входная по первой сетке	10,5±1,5	пФ
	входная по третьей сетке	11,5±1,5
	выходная для каждого анода	2,8±0,6
	анод-первая сетка	≤0,03
	анод-третья сетка	≤0,35
	между анодами	≤0,26
	первая-третья сетка	≤0,25
	катод-подогреватель	6±2
Наработка	—	≥500	ч
Критерии оценки
Изменение тока анода	в импульсе	от -30 до + 35	%
Обратный ток первой сетки	—	≤1	мкА

 

Предельные эксплуатационные данные 

Параметр	Условия	6А4П	Ед. изм
Напряжение накала	—	5,7-7	В
Напряжение анода	—	250	В
Напряжение второй и четвертой сеток	—	150	В
Напряжение между катодом и подогревателем	—	100	В
Ток катода	—	20	мА
Мощность, рассеиваемая анодом	—	2	Вт
Мощность, рассеиваемая второй сеткой	—	0,5	Вт
Мощность, рассеиваемая четвертой сеткой	—	1,5	Вт
Сопротивление в цепи первой сетки	—	0,5	МОм
Устойчивость к внешним воздействиям
Интервал рабочих температур окружающей среды	—	-60…+70	°C

Описание всех параметров смотрите в буквенных обозначениях параметров радиоламп.