IR2104 — Полумостовой драйвер

Свойства

  • Управляющие каналы предназначены для работы под нагрузкой

— Полностью работоспособны при напряжении до +600 В

— Нечувствителен к отрицательным переходным напряжениям

— Невосприимчив к скорости нарастания напряжения dV/dt

Купить IR2104
Купить IR2104


  • Диапазон напряжений питания от 10 до 20 В
  • Отключение при снижении напряжения
  • Вход совместим с логикой на 3.3 В, 5 В и 15 В
  • Предотвращение логики поперечной проводимости
  • Внутренне установленное время задержки
  • Выход в фазе со входом
  • Вывод отключения отключает оба канала
  • Согласованная задержка распространения для обоих каналов
  • Без свинца

 

IR2104(S) — драйверы для высоковольтных, высокоскоростных MOSFET и IGBT транзисторов с зависимыми выходными каналами от низкого и высокого уровней. Технологии HVIC и КМОП структуры без эффекта защелкивания позволили создать монолитную микросхему предусматривающую использование в экстремальных условиях.  Логический вход совместим со стандартными КМОП или LSTTL выходом, вплоть до логики на 3.3 В. Выходы драйверов имеют высокий импульсный ток буферного каскада, предназначенный для уменьшения поперечной проводимости. Свободный канал может быть использован для управления мощным N-канальным MOSFET и IGBT транзистором работающем при напряжении от 10 до 600 В.

 

Типы корпусов для IR2104S и IR2104
Типы корпусов для IR2104S и IR2104
Схема включения
Схема включения

 

 

 

Абсолютные максимальные значения

Обозначение Описание Мин. Макс. Ед. изм.
VB Абсолютное напряжение в высоковольтной части — 0.3 625 В
VS Напряжение смещения нуля в высоковольтной части VB — 25 VB + 0.3
VHO Выходное напряжение в высоковольтной части VS — 0.3 VB + 0.3
VCC Напряжение питания низковольтной и логической части -0.3 25
VLO Выходное напряжение низковольтной части -0.3 VCC + 0.3
VIN Логическое напряжение на входе (IN & SD) -0.3 VCC + 0.3
dVs/dt Допустимое смещение питающего напряжения при переходных процессах 50 В/нс
PD  Рассеиваемая мощность при Tокр≤ +25 °С 8-выводной корпус PDIP 1 Вт
8-выводной корпус SOIC 0.625
RthJA  Тепловое сопротивление кристалл-окружающая среда 8-выводной корпус PDIP 125 °С/Вт
8-выводной корпус SOIC 200
TJ Температура кристалла 150 °С
TS Температура хранения  — 150
TL Температура припоя (10 с) 300

 

Рекомендуемые рабочие значения
Обозначение Описание Мин. Макс. Ед. изм.
VB Абсолютное напряжение в высоковольтной части VS + 10 VS + 20 В
VS Напряжение смещения нуля в высоковольтной части 600
VHO Выходное напряжение в высоковольтной части VS VB
VCC Напряжение питания низковольтной и логической части 10 20
VLO Выходное напряжение низковольтной части 0 VCC
VIN Логическое напряжение на входе (IN & SD) 0 VCC
TA Температура окружающей среды -40 125 °С

 

Динамические электрические характеристики. VBIAS (VCC, VBS) = 15 В, CL = 1000 пФ и TA = 25°C
Обозначение Описание Мин. Тип. Макс. Ед. изм. Условия
ton Время задержки включения 680 820 нс VS = 0 В
toff Время задержки выключения 150 220 VS = 600 В
tsd Время задержки отключения 160 220
tr  Время нарастания при включении 100 170
tf  Время спада при выключении 50 90
DT Время переключения 400 520 650
MT Согласование времени задержки в каналах 60

 

Статические электрические характеристики. VBIAS (VCC, VBS) = 15 В и TA = 25°C. Величины VIN, VTH and IIN измеряются относительно общего вывода «COM». Параметры VO и IO измеряются относительно «COM» и применяются для соответствующих выводов.
Обозначение Описание Мин. Тип. Макс. Ед. изм. Условия
VIH Логическая «1» (HO) и логический «0» (LO) на входе 3 В VCC = 10… 20 В
VIL Логическая «1» (HO) и логический «0» (LO) на входе 0.8 VCC = 10… 20 В
VSD,TH+ Положительное пороговое напряжение на выводе SD 3 VCC = 10… 20 В
VSD,TH- Отрицательное пороговое напряжение на выводе SD 0.8 VCC = 10… 20 В
VOH Высокий уровень напряжения на выходе, VBIAS — VO 100 мВ IO = 0 A
VOL Низкий уровень напряжения на выходе, VO 100 IO = 0 A
ILK Ток утечки смешения питания 60 мкА VB = VS = 600 В
IQBS Потребляемый ток для VBS 30 55 VIN = 0 В или 5 В
IQCC  Потребляемый ток для VCC 150 270 VIN = 0 В или 5 В
IIN+ Ток смещения на входе для логической «1» 3 10 VIN = 5 В
IIN-  Ток смещения на входе для логического «0» 1 VIN = 0 В
VCCUV+ Положительный порог снижения питающего напряжения VCC 8 8.9 9.8 В
VCCUV- Отрицательный порог снижения питающего напряжения VCC 7.4 8.2 9
IO+ Максимальный уровень импульсных токов короткого замыкания 130 210 мА VO = 0 В
PW ≤ 10 мкс
IO- Минимальный уровень импульсных токов короткого замыкания 270 360 VO = 15 В
PW ≤ 10 мкс

 

Функциональная блок-схема
Функциональная блок-схема

 

Расположение выводов
Расположение выводов

 

 

Назначение выводов
IN Логический вход для управления высоковольтной и низковольтной частью (HO и LO), в фазе с HO
SD Вход отключения выходных сигналов
VB Напряжение питания верхнего плеча
HO Выход драйвера верхнего плеча
VS Возврат питания верхнего плеча
VCC Питание нижнего плеча и логической части
LO Выход драйвера нижнего плеча
COM Возврат питания нижнего плеча

 

Временная диаграмма вход/выход
Временная диаграмма вход/выход

Время переключения
Время переключения

Стробирующий сигнал отключения
Стробирующий сигнал отключения

Время задержки
Время задержки

Согласование времени задержки
Согласование времени задержки

Добавить комментарий

Имя *
E-mail *
Сайт

Лимит времени истёк. Пожалуйста, перезагрузите CAPTCHA.