S8550 — Биполярный транзистор(P-N-P)

Цоколевка транзистора s8550
Цоколевка транзистора s8550

Особенности

  • Рассеиваемая мощность PCM : 0.625 Вт ( Температура окружающей среды Tamb=25℃)
  • Ток коллектора ICM : 0.5 А
  • Напряжение коллектор-база V(BR)CBO : 40 В


 

Электрические характеристики (Tamb=25℃, если не указано иное)
Параметр Обозначение Условия испытаний Мин. Тип. Макс. Ед. изм.
Максимально допустимое напряжение коллектор-база V(BR)CBO Ic= 100 мкА, IE=0 40 В
Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер V(BR)CEO Ic= 100 мкА, IB=0 25 В
Максимально допустимое напряжение эмиттер-база V(BR)EBO IE= 100 мкА, IC=0 5 В
Обратный ток коллектора  ICBO VCB= 40 В , IE=0  0.1  мкА
 Обратный ток коллектор-эмиттер  ICEO VCE= 20 В , IB=0  0.2 мкА
Обратный ток эмиттера  IEBO VEB= 3 В, IC=0 0.1  мкА
Коэффициент усиления по току HFE(1) VCE= 1 В, IC= 50 мА 85  300
 HFE(1)  VCE= 1 В, IC= 500 мА  50
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер VCE(sat) IC= 500 мА, IB= 50 мА  0.6 В
Напряжение насыщения база-эмиттер VBE(sat) IC= 500 мА, IB= 50 мА 1.2 В
Напряжение база-эмиттер VBE IE= 100 мА 1.4 В
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером fT VCE= 6 В, IC= 20 мА, f = 30 мГц  150 мГц

 

Классификация по HFE(1)
Класс B C D
Диапазон 85-160 120-200 160-300

 

Добавить комментарий

Имя *
E-mail *
Сайт

Лимит времени истёк. Пожалуйста, перезагрузите CAPTCHA.