STP60NF06 — MOSFET транзистор

Общие черты

Тип VDSS RDS(on) ID
STP60NF06 60 В < 0,016 Ом 60 А
  • Возможность экспоненциального изменения dv/dt
  • 100% проверка лавинного пробоя
  • Применение ориентированных

Корпус STP60NF06 Внутренняя схема STP60NF06

Это серия мощных MOSFET транзисторов с применением технологии STripFET, которая дает уменьшение входной емкости и заряда затвора. Поэтому они подходят для применения в качестве основного ключа в изолированных DC-DC конвертерах для телекоммуникационного и компьютерного оборудования. Также возможно применение в цепях с требованиями к низкому заряду затвора.


1 Электрические характеристики

Обозначение Параметр Значение Ед. изм.
VDS Напряжение сток-исток (VGS = 0) 60 В
VGS Напряжение затвор-исток ±20 В
ID Ток стока(непрерывный) при TC = 25°C 60 А
ID Ток стока(непрерывный) при TC = 100°C 42 А
IDM(1) Ток стока(импульсный) 240 А
PTOT Общая рассеиваемая мощность при TC = 25°C 110 Вт
Коэффициент снижения номинальной мощности 0.74 Вт/°C
dv/dt (2) Крутизна пика восстанавливающегося напряжения на диоде 7.5 В/нс
Tstg Температура хранения от -55 до 175  °C
Tj Максимальная рабочая температура p-n перехода

Скачать datasheet в PDF

Добавить комментарий

Имя *
E-mail *
Сайт

Лимит времени истёк. Пожалуйста, перезагрузите CAPTCHA.